- Серийного Airbus A350F ещё нет, а 115... (2597)
- Сага об уволенных со скандалом разработчиках... (3103)
- Google снова перестала продавать планшеты —... (2485)
- Рама, полный привод, 8-ступенчатый «автомат»... (2268)
- Представлена обновлённая быстрая модель... (2293)
- 56000 DPI, 8000 Гц и настраиваемый «клик».... (2290)
- Уход Nvidia озолотил Biren — выручка... (2252)
- У российских дилеров появились гибридные... (2309)
- Apple раскрыла лимит для Apple Intelligence... (2554)
- Японский аналог BMW 7 серии: представлен... (2825)
- Не только пылесосы. Dreame показала на IFA... (2393)
- Не только пылесосы. Dreame показала на IFA... (2360)
- Первые три Ил-114-300 отправят российскому... (2633)
- Ремейк Resident Evil 2 покорил новую вершину... (2253)
- Nintendo представила ремейк The Legend of... (2046)
- HyperOS 4 вышла за пределы Китая: Xiaomi... (2389)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...