- В Китае введут строгий стандарт безопасности... (912)
- NASA впервые разрешило астронавтам взять на... (911)
- Сразу после старта лунной миссии Трамп... (974)
- Передача данных по свету достигла 362 Гбит/с... (2334)
- Стартап Kintsugi с ИИ-диагностикой депрессии... (2254)
- Искусственный интеллект в психиатрии: в США... (2136)
- Астрономы подтвердили «запрещённый» диапазон... (2253)
- 120 долларов — столько стоит одна... (1707)
- В Германии разрабатывают новый способ... (1881)
- Компактная квантовая система обошла крупный... (1613)
- Новая статья: Grime 2 — истязание на... (1903)
- 408 л.с., расход всего 3,41 л/100 км,... (1743)
- Гибридный кроссовер Geely с ИИ и запасом... (1778)
- Новая статья: Gamesblender № 770: релиз DLSS... (1583)
- Samsung прощается с Arm? Компания готовит... (1567)
- Intel после нападок со стороны Arm защищает... (1295)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...