- Видеокарты Nvidia с GDDR6-памятью оказались... (1218)
- Видеокарты Nvidia с GDDR6-памятью оказались... (1053)
- Физики создали атомные часы, способные... (1049)
- Ноутбуки Apple MacBook становятся ещё... (894)
- Маленькая с 8 ГБ памяти либо большая с 12... (1018)
- Новый чип для ИИ оказался до 2000 раз... (1000)
- Большие ядра процессоров Intel следующего... (1027)
- Глава Xiaomi всё наглядно объяснил. Набор из... (972)
- C/2026 A1 исчезла навсегда: Солнце... (802)
- Видео 4К без проводов и без Wi-Fi: На... (944)
- Acemagic выпустила мини-ПК N3A за 300... (825)
- Xiaomi еще не закончила с флагманами серии... (814)
- Конфликт на орбите: SpaceX пожаловалась, что... (796)
- Ядер меньше, чем у Snapdragon 8 Elite Gen5.... (844)
- Владельцы компьютеров Mac с чипами M-серии... (966)
- LinkedIn скрытно собирает данные о ПО,... (1032)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...