- IPO компании Altera, которая входила в... (1937)
- Аккумуляторы BYD Blade Battery... (1697)
- Компактный флагман с батареей на 8000 мА•ч и... (1744)
- Огромная батарея 7000 мАч, камера Zeiss 200... (1875)
- Лучший 2K-экран от Samsung за всю историю,... (1669)
- По норме прибыли китайская CXMT уже обошла... (2694)
- Galaxy A35 получил One UI 9 на базе Android... (1892)
- Galaxy A35 получил One UI 9 на базе Android... (1859)
- iPhone Duo копируют сразу после анонса:... (1862)
- Самый дорогой новый iPhone в России оценили... (1911)
- Звезду ИИ-отрасли не удержал рекордный... (2088)
- В России запустили массовое производство... (1804)
- Nyx полетит на МКС на ракете Ariane... (1882)
- Samsung троллит Apple после анонса iPhone... (1656)
- OpenAI готова замедлить гонку разработки ИИ,... (2159)
- В октябре Apple представит более 7 новых... (1834)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...