- ИИ упростил подачу жалоб — и граждане... (2419)
- Мышь Finalmouse Starlight X установила... (2226)
- Сразу два Starship готовятся к старту,... (2278)
- Немецкие геймеры бросились покупать... (2349)
- Nintendo отблагодарит американских игроков... (2376)
- Массив из «алюминиевых яиц» с водой показал... (2303)
- Apple раскрыла, насколько выросла ёмкость... (2580)
- Из M**a ушёл ИИ-исследователь, которому... (2281)
- Смартфон Trump Mobile T1 подорожал на $250 —... (2512)
- IBM и NASA выпустили ИИ-модель для изучения... (3205)
- Следующий флагманский чип Qualcomm позволит... (2151)
- Nvidia представила универсальный контроллер... (2047)
- Полный привод и выдвижная «рука» для стрижки... (2208)
- Не лучший в своём деле: критики вынесли... (2401)
- Европа больше не хочет зависеть от чужих... (2382)
- Менее 5 секунд до «сотни». Водородный BMW... (2334)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...