- Безумные инвестиции в ИИ рискуют разогнать... (1803)
- «Захлопнись!»: Samsung научила холодильники... (1819)
- Текст и детали станут чётче: LG и Samsung... (1494)
- Тайвань усилил обвинения против Tokyo... (1464)
- У MSI появился свой Pro Max — серия ПК и... (2024)
- Серверы съедают всё: оперативная память... (1354)
- Лаконичные, чёрные и разные. Sudokoo... (1363)
- Человекоподобный робот UBTech Walker S2... (1972)
- Топ-менеджеры производителей электроники... (1675)
- Формату Blu-ray стукнуло 20 лет. Он... (1700)
- Samsung показала огромный и самый яркий в... (1646)
- Windows XP, Windows Vista, Windows 7,... (1724)
- «Ситуация беспрецедентна»: глава Samsung... (1242)
- Выглядит, как VHS-кассета и виниловый... (1253)
- Новая версия One UI 8.5 вышла для Samsung... (1214)
- «Samsung вернулась». Клиенты компании... (1272)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...