- Мультяшный WALL-E стал реальностью —... (1655)
- Представлен самый тонкий в мире... (1697)
- LG показала робота-дворецкого CLOiD — он... (1530)
- «Удлинить» сигнал HDMI на 40 метров без... (1089)
- Kia продала в 2025 году рекордные 3,13 млн... (1407)
- LG создала 16-дюймовый ноутбук легче MacBook... (1107)
- Из-за бездействия Valve фанатский ремейк... (1569)
- Samsung представила первый в мире 130"... (1296)
- Honda остановила три завода на две недели,... (1507)
- Представлены AR-очки Xreal 1S за $449 —... (1567)
- Snapdragon X2 Elite Extreme будет первой... (1292)
- 192 Гбит/с и 480 Вт по одному кабелю: в... (1251)
- Геймерский 171-дюймовый монитор на носу:... (1187)
- Не только 9000 мАч: OnePlus Turbo 6 сможет... (1123)
- 120 Гц, 7000 мАч, быстрая зарядка, режим... (1028)
- MSI представила геймерский монитор MPG... (1264)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...