- Рекорд разгона памяти DDR5 не продержался и... (2390)
- Один из основателей «Википедии» указал на... (4680)
- АвтоВАЗ улучшил Lada Iskra: заменено... (2113)
- Кроссоверы российского производства с... (2107)
- На замену Mercedes, Volvo, Scania, MAN и... (2287)
- Авторы Warhammer 40,000: Boltgun и Vampire... (2942)
- Вот как выглядит внутри система охлаждения... (2533)
- Учёные выявили несостоятельность всех... (2243)
- Cooler Master представила дырчатый корпус... (2699)
- DeepCool представила кулеры AK G2 и AK G2... (3064)
- Суд обязал Samsung выплатить $191 млн за... (2304)
- Никаких CPU Intel/AMD, никакой Windows.... (2220)
- «Пора окунуться в водоворот событий, где... (2480)
- Toyota представила робо-табуретку Walk Me,... (2457)
- Не показалось: карты в Battlefield 6... (2486)
- Развитие ИИ уже упирается в нехватку... (2854)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...