- Белый дом заявил, что Nvidia не может... (2858)
- Россияне чаще выбирают Keenetic и TP-Link:... (2668)
- Из-за столкновения с космическим мусором... (2670)
- Apple начала разработку бюджетного MacBook... (2803)
- «Событие является уникальным как минимум в... (2993)
- Маловато будет: обещание AMD лишь слегка... (2498)
- Маловато будет: квартальный прогноз AMD по... (2782)
- Друг Маска, Джаред Айзекман, который стал... (2519)
- Двигатели в новых грузовиках Volvo Trucks... (3651)
- Aurus к концу года экономит на всём: новые... (2655)
- Грузовик с новыми двигателями Raptor 3 для... (2525)
- Компания Samsung ответила Dolby Vision 2... (2568)
- ИИ-генератор видео Sora вышел на Android в... (2205)
- У Tesla снова обвал в Европе: местами... (2640)
- Октябрьские продажи Tesla в Европе сильно... (3523)
- В России построили Nissan Z с 3,0-литровым... (3252)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...