- В Австралии начнут бесплатно раздавать... (3584)
- Китай обвинил Нидерланды в бездействии в... (2886)
- Nintendo продала больше 10 млн Switch 2 за... (2798)
- Смартфоны на Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen... (2882)
- Microsoft исправила давний баг с... (2035)
- NetEase отозвала финансирование амбициозной... (2653)
- Первый сухопутный авианосец XPeng сошёл с... (2310)
- Вышла Apple iOS 26.1 — она принесла... (2173)
- В Китае создали робота-медузу с ИИ для... (1807)
- Obsidian прокачала пошаговый режим для... (1953)
- ИИ-браузеры оказались удобны для бесплатного... (2451)
- Apple запустила полностью новую веб-версию... (2045)
- OpenAI опровергла слухи о запрете ChatGPT... (2409)
- Китай усилил борьбу с чипами Nvidia —... (1901)
- Бывший глава Intel Патрик Гелсингер запустил... (2177)
- Феноменальный успех: продажи супергеройской... (3186)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...