- OpenAI представила генератор изображений... (2412)
- Представлен карманный насос Xiaomi — он... (2300)
- Представлен Zeekr 7X 2027 с новой батареей... (2682)
- Глава Kioxia отверг идею усиления связей с... (2523)
- Pisen отзывает аккумуляторы из-за риска... (2467)
- Vivo X500 может заменить профессиональную... (2480)
- Необычный широкий экран, камеры 200 и 50 Мп,... (2104)
- Realme 16 Pro 5G получит новую версию и... (2666)
- Представлены сразу три аккумуляторы Xiaomi —... (2193)
- Представлен насос Portronics Vayu Hybrid... (2431)
- Первый смартфон почти без рамки и сразу три... (2638)
- Honor Magic 9 получит 500-мм телеобъектив —... (2462)
- OpenAI утверждает, что разработать свой чип... (2792)
- Samsung Galaxy S25 FE получил функции Galaxy... (2428)
- Новая модель OpenAI решила одну из семи... (2582)
- Samsung исправила проблемы с Wi-Fi: Galaxy... (2402)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...