- В YouTube появился Recap — пользователям... (364)
- Стало известно, на сколько подорожают... (441)
- ИИ-агенты научились взламывать... (515)
- ИИ сломал Big Tech: золотое правило «трать... (495)
- Инструмент YouTube для защиты блогеров от... (486)
- Тайвань обвинил Tokyo Electron в допущении... (606)
- 310 долларов за 600-граммовый компьютер с... (379)
- В Microsoft Teams появились «иммерсивные... (499)
- Apple отвергла требование Индии... (345)
- Браузеры Opera получили функции на базе... (491)
- QR-код вместо карточки: на «Госуслугах»... (512)
- Российская ИИ-система Delta Sprut XL... (347)
- Глава разработки «Смуты» ушёл в отставку — у... (512)
- Возвращение легенды: Mercedes-Benz... (475)
- К актёрскому составу «Зверополиса 2»... (339)
- Редчайший UAZ Marathon европейской сборки... (411)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...