- «Такое пропускать нельзя»: новая Tomb Raider... (853)
- Открытые ИИ-модели из Китая захватили почти... (839)
- Доля китайских языковых моделей с открытым... (1055)
- Распродан за считанные часы и встречен в... (798)
- «Вжух» на Android: теперь платить можно без... (1229)
- «Союз» вернулся домой: экипаж корабля... (762)
- Haval готовит горячую премьеру: новый H6... (686)
- Apple готовит самое заметное обновление... (1030)
- Охота за GPU: в США задержали китайцев по... (766)
- Роботизация в России выросла до 40 машин на... (1053)
- В России растёт плотность роботизации — на... (689)
- США разрешат экспорт чипов Nvidia H200 в... (679)
- Бум ИИ помог мировой экономике устоять перед... (1170)
- Бум ИИ спасает мировую экономику от... (1043)
- Представитель МВФ признал, что бум ИИ... (955)
- GAC не планирует уходить с российского... (825)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...