- TSMC задумала расширение производства в США... (779)
- Microsoft признала, что Copilot — для... (869)
- 500 млрд долларов в развитие... (908)
- Nvidia покупает память по очень очень низким... (926)
- Издатель GTA VI неожиданно уволил главу... (1002)
- Ubuntu Linux теперь требует 6 Гбайт... (1056)
- Побледнение кончиков пальцев превратит любую... (838)
- Apple скупает память даже втридорога, чтобы... (874)
- Xiaomi рассказала, насколько на самом деле... (1042)
- Xiaomi повысит цены на Redmi K90 Pro Max и... (956)
- Anysphere выпустил ИИ-помощника по написанию... (988)
- Смартфон Xiaomi Redmi Note 17 Pro Max может... (866)
- От ИИ-стартапа Poolside разом отвернулись... (1021)
- Астрономы нашли у миллисекундных пульсаров... (1026)
- ИИ-модели оказались склонны лгать и... (861)
- Спрос на аренду устаревающих ускорителей... (1069)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...