- Renault Duster превратился в пикап:... (1447)
- В Windows 11 наконец-то появится функция... (1402)
- Xiaomi 18 Pro возвращается в эпоху Mi 9:... (1277)
- Полноразмерные открытые беспроводные... (1329)
- Новый Freelander, созданный Chery, оказался... (1358)
- Сегодня таких системных плат почти не... (1326)
- Microsoft выпустила 974 исправления... (1607)
- Как Honor Robot устроен внутри. Блогер... (1530)
- Asus представила профессиональный монитор... (1621)
- Первое за 23 года сюжетное дополнение для... (1404)
- HP выпустила большой и недорогой ноутбук, но... (1418)
- Японский ноутбук-трансформер с необычным... (1424)
- Hayabusa2 измерила расстояние до астероида... (1341)
- Плата AMD BC-250 с сердцем от PlayStation 5... (1269)
- Конфликт OpenAI с математиками продолжает... (1415)
- Смартфон Трампа подорожал на десятки... (1333)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...