- Только чтобы удовлетворить спрос Nvidia... (1290)
- Радикально новый Hyundai Tucson на подходе —... (1008)
- Если оперативная память недостаточно... (814)
- Tesla больше не автопроизводитель в... (1006)
- Новый Toyota RAV4 — с наценкой в 5000... (874)
- «Escape from Mars»: вышел первый трейлер... (904)
- Мощный гибрид Exlantix ES7 для России:... (1558)
- Представлен «дикий» Bentley Bentayga: теперь... (1174)
- Прощай, «мыло» на зуме: Samsung Galaxy S26... (1210)
- Большое обновление для Samsung Galaxy на... (744)
- Дилеры продают последние Xcite Xcross 8 со... (1267)
- SpaceX показала сверхмощный ускоритель... (1212)
- Бывшего инженера Google осудили за передачу... (1091)
- Kia не пойдет по пути Volkswagen: корейцы не... (772)
- На раздутые «ноздри» BMW Audi ответит «усами... (1195)
- Lufthansa представила нейросеть mAIntor для... (860)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...