- В открытый доступ попал трейлер отменённой... (5054)
- Apple пометит приложения, которые умеют... (5618)
- Конец эпохи: Sony закончила продажи своего... (4532)
- «Памяти всегда можно использовать больше»:... (4735)
- Небывалая свобода выбора и верность... (4993)
- ИИ поставил кибератаки на конвейер:... (4494)
- Хакинтош вернулся: macOS 27 запустили на ПК... (4400)
- В Google Cloud появятся новейшие ИИ-модели... (4434)
- Cyberpunk 2077 получила крупный патч 2.5 к... (4324)
- TrendForce: поставки серверных CPU в 2026... (4678)
- Консоль Nintendo Switch 2 взломали, но не до... (4560)
- GitHub перевела 99,99999 % репозиториев в... (4612)
- Илон Маск сравнил обучение робота Tesla... (4689)
- Galax выпустила первую GeForce RTX 5080 с... (4744)
- Anker: каждый второй россиянин постоянно... (4670)
- Red Hat и NVIDIA расширили партнёрство для... (4712)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...