- На долю процессоров Intel пришлось менее 5%... (1031)
- Сплошные «спекулянты»: ЦОД резервируют... (772)
- Одна кабина новейшего КамАЗа К5 содержит... (1155)
- iFixit представила FixBot — ИИ-приложение... (912)
- До 16 ядер в компактном корпусе. AMD... (4968)
- В «VK Клипах» теперь можно зарабатывать на... (4259)
- Смартфоны Samsung Galaxy S26 на основе... (1015)
- OLED-монитор MSI MPG 321URX усугубил... (1611)
- OLED-монитор MSI MPG 321URX усугубил... (1168)
- Бесконтактные платежи через «Вжух» теперь... (894)
- Бесконтакные платежи череж «Вжух» теперь... (1761)
- Бечконтакные платежи череж «Вжух» теперь... (878)
- Одна Nvidia уже выкупила уже более половины... (978)
- Уникальные измерения на мировом уровне и... (864)
- В Елабуге запустили импортозамещающее... (1001)
- По Cyberpunk 2077 выйдет настольная... (1050)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...