- TSMC будет производить меньше недорогих... (1108)
- Китайский аналог многоразовой ракеты SpaceX... (1105)
- MacBook Pro на M5 порой может быть почти в... (1116)
- Oracle всё-таки нашла деньги на... (864)
- Флагман Oppo Find X9 Ultra показался на фото... (895)
- Приложения нескольких российских банков дали... (979)
- AM4, живи. Свежие тесты игрового процессора... (972)
- Сбой в метро Москвы. Банковские карты... (1019)
- Эта крошечная электронная книга весит 58 г и... (1112)
- Экипаж лунного корабля Orion оказался в... (1178)
- Простой способ добавить компьютеру поддержку... (1071)
- Смартфон с самой большой жидкостной системой... (1138)
- Классический экшен, никакого ИИ и... (910)
- Экономия в исполнении Samsung. Компания... (1074)
- Philips представила 144-герцевый монитор с... (898)
- Darkest Dungeon про альпинистов:... (1137)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...