- Так Starship должен выглядеть при успешной... (1282)
- Не прошло и 10 лет. Tesla готовит громкую... (1342)
- OpenAI не выйдет на IPO в этом году,... (1356)
- Культовая StarCraft вернётся в 2030 году, но... (1996)
- Чего размениваться на мелочи? Вьетнам хочет... (2006)
- Опубликовано первое фото совершенно нового... (1744)
- Новая статья: Onimusha: Way of the Sword —... (1928)
- В мотором Bosch, тяговой батареей Bosch и... (1740)
- Офлайн-навигация, более 170 режимов... (1784)
- Blizzard анонсировала Diablo V — релиз в... (1620)
- Warcraft 3 получила первое за 23 года... (1659)
- Огромный самолет для ракет и спутников,... (1746)
- Матрешка на скорости 3675 км/ч: Hermeus... (1812)
- Blizzard неожиданно анонсировала Diablo V... (1609)
- Европа создаёт собственный многоразовый... (1623)
- США жертвуют экологией ради ИИ:... (1398)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...