- Компактный проектор с поворотным шарниром за... (754)
- Ультратонкая GaN-зарядка на 100 Вт с... (840)
- Проектор с яркостью 1800 нит, сабвуфером и... (824)
- Honor Magic 9, Magic 9 Pro Max и Magic 9... (818)
- Умная розетка Xiaomi за $7 позволяет... (783)
- Умная розетка Xiaomi за $7 выдерживает... (838)
- Камеры по 200 Мп, аккумуляторы до 8 000 мА•ч... (971)
- Первый в мире экран Samsung M16 яркостью 10... (604)
- Samsung Galaxy S27 Ultra не получит новую... (833)
- В России создали алгоритм для оптимизации 5G... (1551)
- На много лет раньше ожидаемого: SpaceX... (800)
- Маск и Альтман поддержали идею притормозить... (814)
- Anthropic уверена, что в этом квартале... (1021)
- Трамп призвал не тормозить развитие ИИ —... (525)
- Трамп дал понять, что не намерен сильно... (812)
- Новая статья: Обзор игрового ноутбука Acer... (1729)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...