- Lufthansa представила нейросеть mAIntor для... (853)
- В России дорожают даже не самые популярные... (1066)
- Xiaomi начала обновлять старые флагманы до... (1059)
- Маршрутка с душой суперкара: японцы... (887)
- Nvidia представила семейство ИИ-моделей... (954)
- Глобальная бета-версия HyperOS 3.1 выйдет... (1313)
- Энтузиаст создал USB-накопитель размером с... (1128)
- 6 миллионов рублей за три года: рассчитана... (817)
- Ученые из Германии научили винты вертолетов... (751)
- Samsung Galaxy S25 Ultra получит поддержку... (1173)
- Samsung, SK hynix и Micron стали... (816)
- «Рольф» продает популярные кроссоверы Belgee... (1337)
- Это устройство позволит «превратить» microSD... (811)
- 6 лет обновлений, 200 Мп и Snapdragon 8... (768)
- RTX 5060 Laptop и 300-герцевый экран при... (848)
- Xiaomi представила игровой монитор Redmi G25... (1006)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...