- ПК Steam Machine не поддерживает HDMI 2.1.... (941)
- 60 000 ТБ в объёме 1 литра. Представлено... (854)
- Весь современный мир искусственного... (933)
- Сколько осталось до появления полноценных... (877)
- Настоящие «кибернаушники». Nubia представила... (768)
- Теперь лучший iGPU в классе точно у Intel.... (815)
- В Сколково открылся первый в России кластер... (754)
- В тестах засветился Core Ultra 5 332 всего с... (973)
- Китай почти догнал США в важнейших научных... (835)
- Первая игровая приставка на Core Ultra 300.... (785)
- Microsoft хочет свой идеальный ИИ-чип:... (848)
- Windows 11 теперь прямо пишет, что 8 ГБ... (772)
- «Новый DeepSeek-момент»: первый в мире... (816)
- Марк Цукерберг лично развозил домашний суп... (844)
- Банк России не будет создавать отдельное... (905)
- Intel рассчитывает укрепить свои позиции на... (821)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...