- 8600 новых российских базовых станций в 2026... (895)
- Японские учёные создали Wi-Fi-чип, способный... (879)
- State of Decay 3 восстала из мёртвых и... (878)
- Строительство ЦОД в США замораживают или... (893)
- NASA опубликовало уникальное фото всей Земли... (848)
- В России представили антропоморфного... (843)
- Утечка прошивки One UI 9 подтверждает более... (667)
- Проверка перед стартом: космический корабль... (860)
- Японский энтузиаст исхитрился подключить M.2... (863)
- ИИ-модель Claude обнаружила уязвимость и... (838)
- Asus сэкономила на упаковке, из-за чего... (830)
- Китайские власти ополчились на цифровых... (943)
- Google, M**a и другие бигтехи больше не... (922)
- Фэнтезийная ролевая игра Songs of... (1031)
- США хотят полностью запретить ввоз всей... (1012)
- Сооснователь Supermicro не признал вину в... (828)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...