- Вместо тысяч датчиков одна дешёвая камера —... (3382)
- В 2028 году Samsung планирует выпустить... (4082)
- Портативная консоль AyaNeo Next 2 на AMD... (3870)
- Micron начала строительство ещё одного... (3538)
- Sony ограничила продажи дисководов для PS5... (2902)
- Из-за складного iPhone цены на складные... (3560)
- Северокорейские хакеры причастны к двум... (3901)
- Производители памяти призвали власти США... (3230)
- Alibaba представила ИИ-агента для поиска... (3796)
- Microsoft добавила в браузер Edge поддержку... (3169)
- Anthropic, Google и M**a всерьёз задумались... (2778)
- Ampera напечатала на 3D-принтере малый... (2912)
- Microsoft ускоряет внедрение постквантовой... (3162)
- Учёные создали в лаборатории модель чёрной... (3521)
- Samsung нацелилась стать главным... (3702)
- В июне затраты пользователей на ИИ снизились... (3235)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...