- Ни себе ни людям: амбициозный мультиплеерный... (861)
- Представлена первая внешняя док-станцию для... (833)
- Китай подключил ИИ-агентов к проектированию... (783)
- Фото не подойдёт: представлен умный Huawei... (1256)
- Представлены потолочные светильники Xiaomi:... (886)
- Заявления глав OpenAI и Anthropic о... (987)
- РТК-ЦОД построил гибридную ИТ-инфраструктуру... (782)
- Карманный насос Xiaomi, который позволяет... (845)
- BYD пообещала представить первый серийный... (802)
- Представлен замок Xiaomi Smart Lock 5 Max:... (674)
- Мощный графеновый обогреватель, вентиляция,... (729)
- Представлена система умных штор Xiaomi Mijia... (767)
- NaviX Ultra будет оснащен первой в отрасли... (660)
- Глава Blizzard объяснила, почему Diablo V и... (616)
- AMD Ryzen 9, 64 ГБ ОЗУ, SSD на 2 ТБ, экран... (728)
- 2-нм процессор Fujitsu Monaka поступит в... (705)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...