- Космический телескоп Roman впечатлил учёных... (4706)
- «Чёрный октябрь» для интернета: ИИ находит... (4415)
- В пять раз быстрее: основатель Unitree ждёт... (5246)
- Microsoft закрыла «Гараж» — площадку для... (4809)
- Казахстан расширит мощности ИИ ЦОД на чипах... (4753)
- «Неделю назад это была просто шутка из... (4792)
- Газ в пол: зонд NASA «Психея» максимально... (4194)
- Россияне стали покупать на 20 % меньше... (3976)
- ИИ-агенты добрались до банковских счетов... (4684)
- Человеку впервые ввели вирусы, созданные ИИ... (4511)
- Инвесторы наелись ИИ: оценка OpenAI... (4287)
- Nebius арендует до 50 МВт в дата-центре в... (4579)
- iPhone Duo стал хитом предзаказов: Apple на... (4379)
- Разработчики космического боевика Exodus в... (4786)
- LattePanda представила «одноплатный сервер»... (4613)
- Сначала думает, потом рисует: Canva... (4476)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...