- Техногиганты в этом году успели сократить... (1402)
- «Дело было не в бобине». В смертельной... (1525)
- Он стал хитом ещё до анонса iPhone Duo: на... (1563)
- Представлен профессиональный комплект... (1592)
- Компактный ПК объёмом всего 0,8 л с... (1510)
- Представлена складная зарядная станция... (1465)
- 32 ГБ DDR5, RTX 5070 Ti, SSD PCIe 5.0 на 1... (1467)
- 100 Вт, два USB-C, USB-A и складная вилка.... (1489)
- 100 Вт, Два USB-C, USB-A и складная вилка.... (1359)
- Глава Anthropic предложил замедлить развитие... (1283)
- Honor Magic9 станет первым... (1376)
- Большой набор портов и 12 ГБ ОЗУ в маленьком... (1328)
- Apple больше не гонится за лёгкостью: iPhone... (1315)
- Новый монитор Xiaomi с частотой 120/240 Гц и... (1231)
- Так Starship должен выглядеть при успешной... (1246)
- Не прошло и 10 лет. Tesla готовит громкую... (1318)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...