- Samsung Galaxy S25 Ultra получит поддержку... (1185)
- Samsung, SK hynix и Micron стали... (825)
- «Рольф» продает популярные кроссоверы Belgee... (1346)
- Это устройство позволит «превратить» microSD... (815)
- 6 лет обновлений, 200 Мп и Snapdragon 8... (774)
- RTX 5060 Laptop и 300-герцевый экран при... (862)
- Xiaomi представила игровой монитор Redmi G25... (1011)
- Intel показала образец огромного ИИ-чипа с... (781)
- Флагманские смартфоны перейдут на экраны 2K?... (758)
- «Пробило X-уровень только что». Вспышечная... (822)
- В Puget Systems назвали самое надежное... (891)
- Глава Nvidia подтвердил, что компания вместе... (800)
- Флагман КамАЗа ушел в крутом пике: продажи... (801)
- Конец эпохи атмосферных V8: Lexus LC снимут... (804)
- Mercedes-Benz объявил ценовую войну: в Китае... (751)
- Samsung Galaxy S26 Ultra может подорожать... (842)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...