- Google показала тройку XR-очков: одни только... (1352)
- Соцсеть X заблокировала рекламный аккаунт ЕС... (803)
- Соцсеть X заброкировала рекламный аккаунт ЕС... (799)
- Хиты 2025 года против гача-игр прошлого — на... (905)
- Сервис Apple Fitness+ появится в 28 новых... (1422)
- Вскоре появятся чипы Intel Made in India.... (1210)
- Путешествие Загрея для Мелинои: моддер... (848)
- Компактный игровой планшет на платформе... (1237)
- 7500 мАч, 512 ГБ памяти, немерцающий экран и... (1268)
- Илон Маск опроверг слухи: SpaceX не гонится... (820)
- Невероятно, но факт: индийская Tata будет... (934)
- Honor выпустила смартфон Magic8 Lite с... (1206)
- За Warner Bros разгорелась агрессивная битва... (726)
- Оперативка по цене самой мощной видеокарты:... (773)
- «Мы всё починим!»: долгожданный пятый эпизод... (846)
- ChatGPT вырос в восемь раз: OpenAI показала,... (772)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...