- M**a отправила в болота Луизианы 65-тонных... (5153)
- Вопреки опасениям: внедрившие ИИ компании... (3821)
- Intel подтвердила и объяснила подорожание... (4646)
- Япония решила взять реванш на мировом рынке... (4575)
- Intel больше не спотыкается о 18A —... (5363)
- Как будто одного Stargate мало: SoftBank... (3400)
- Европейский политик, расследовавший... (3377)
- «Роборука» начала перекладывать блюда на... (3593)
- GitHub подшутила над Sony и предложила... (3340)
- Anthropic закрыла лазейки, позволявшие... (4890)
- Battlefield 6 и EA Sports FC 26 перестали... (4535)
- Battlefield 6 и EA Sports FC 26 перестали... (3096)
- Bandai Namco подтвердила цену DLC с новым... (3365)
- Предел терпения достигнут: цены на память... (3523)
- До встречи в августе: Starship зажёг все... (4197)
- Cloudflare объявила войну ИИ-ботам — теперь... (3720)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...