- Сначала думает, потом рисует: Canva... (4588)
- Сначала PHP, теперь Linux: критические... (5493)
- 1Password откроет ИИ-агентам доступ к... (4558)
- Valve случайно подтвердила существование... (4917)
- Western Digital увеличила выручку на 55 % и... (4784)
- Рынок ПК рухнул на 21 % из-за дефицита... (4794)
- В прошлом квартале поставки ПК рухнули на 21... (4913)
- Анонс iPhone Duo помог? Samsung похвасталась... (5635)
- Учёные расшифровали загадочный звездный узор... (5434)
- Microsoft заявила, что её ИИ диагностирует... (5836)
- Бесплатное дополнение к пиксельному боевику... (5356)
- Экспериментальный браузер Arc закрылся —... (6015)
- Новая статья: Обзор видеокарты MSI GeForce... (5899)
- Выключить слежение на умном телевизоре ещё... (5703)
- Антиматерию впервые поймали в ловушку на... (5121)
- Одной из самых знаковых трёхмерных игр в... (5135)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...