- Начальник таможни США доставал из... (1453)
- Sony отрицает право собственности на... (1609)
- Asus представила монитор ProArt Display OLED... (1505)
- Создавать сайты и веб-приложения в ChatGPT... (2355)
- Цифровой мозг мухи отправили торговать на... (1551)
- Biostar внезапно начала продвигать... (1361)
- Китайцы выстраиваются в очередь за складным... (1530)
- Совершенно новый Skoda Karoq на подходе —... (1429)
- В Россию из Японии начали ввозить машины с... (1480)
- Более 2 млн атмосфер и 1500 °C: ученые... (1429)
- Россия может создать многоразовый лунный... (1396)
- Starlink против вышек: SpaceX хочет... (1395)
- Мощный мини-ПК, NAS или ИИ-сервер?... (1846)
- Купил неисправную материнскую плату MSI Z790... (1649)
- Biostar рекламирует GeForce GT 730, о... (1455)
- Меркурий буквально сморщился: космические... (1956)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...