- OnePlus 16 превзойдет OnePlus 15 во всём?... (798)
- Samsung Galaxy S26 Ultra во всей красе:... (1047)
- Samsung начала использовать водоросли при... (1256)
- Microsoft не будет перегружать Windows 11... (820)
- Южнокорейский стартап FuriosaAI начал... (1369)
- SK hynix на фоне бума ИИ впервые обошла... (1733)
- Продажи спорткара Xiaomi SU7 Ultra упали в... (1210)
- Одна из немногих: редчайшая «Волга» из СССР... (964)
- Когда Starship не летает: SpaceX тестирует... (1221)
- 10 000 циклов зарядки, 93% полезной емкости... (792)
- Курс биткоина опустился ниже $80 000 впервые... (901)
- Крупнейшим направлением инвестирования для... (951)
- iPhone Fold получит самый большой... (1154)
- Первая пилотируемая миссия к Луне за более... (1406)
- До 1 ТВт/год с Земли и 1 ПВт/год с Луны:... (846)
- Илон Маск раскрыл планы по запуску спутников... (955)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...