- Лунный снимок на iPhone: командир миссии... (675)
- OpenAI потребовала от генеральных прокуроров... (643)
- Приближаться, стыковаться, расстыковаться.... (711)
- Гибрид планшета, ПК и ТВ с автономностью до... (705)
- Самый мощный смартфон в истории... (690)
- Xiaomi выпустила ультрабюджетные... (716)
- Небольшой экран 144 Гц, камера Hasselblad... (453)
- Разработка складного Apple iPhone упёрлась в... (780)
- Экран 185 Гц, аккумулятор емкостью 10 000... (535)
- Подтверждение возраста через Max для товаров... (1020)
- Количество рекламы в национальном... (855)
- Малогабаритный реактор для Луны создают... (944)
- На российской орбитальной станции появятся... (890)
- Samsung в первом квартале нарастила... (837)
- Российская орбитальная станция должна... (975)
- Баканов: на орбите уже более 11 тысяч... (994)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...