- Dell представила огромный 52-дюймовый... (1074)
- Lego представила умные конструкторы Smart... (950)
- Xbox Game Pass выйдет на Google TV в этом... (1007)
- Учёные впервые проследили полный жизненный... (892)
- Зарядное устройство Loona Deskmate превратит... (880)
- Dreame показала на CES 2026 свой первый... (874)
- OpenAI переносит производство первого... (1054)
- Первый «тихий» воздуходув Tone T1 на... (1028)
- SpaceX и ISRO открывают 2026 год серией... (911)
- 1 кВтч и литий-железо-фосфатные... (998)
- Телескоп XRISM зафиксировал рекордно чёткий... (847)
- КамАЗ К5 нового поколения с мотором на 560... (1113)
- Nvidia прокачает Pragmata на ПК трассировкой... (956)
- Телескоп «Джеймс Уэбб» зафиксировал в ранней... (1044)
- AMD показала «голый» процессор EPYC Venice с... (924)
- Анонсирован смартфон Realme 16 Pro+ с... (888)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...