- В Puget Systems назвали самое надежное... (911)
- Глава Nvidia подтвердил, что компания вместе... (811)
- Флагман КамАЗа ушел в крутом пике: продажи... (815)
- Конец эпохи атмосферных V8: Lexus LC снимут... (821)
- Mercedes-Benz объявил ценовую войну: в Китае... (762)
- Samsung Galaxy S26 Ultra может подорожать... (862)
- Эти видеокарты не самые большие, белые и без... (774)
- Это ПО позволяет смешивать видеокарты... (744)
- Кожаный бюджетник Samsung. Компания показала... (1261)
- Amazon Leo: новые интернет-спутники... (1127)
- Гигантский ракетный ускоритель Booster 19 во... (1064)
- Миллион за советскую легенду: в России... (795)
- Портативная приставка MSI Claw A8 на Ryzen... (726)
- Такого у Apple ещё не было: складной iPhone... (903)
- SpaceX пресекла «несанкционированное»... (1133)
- OnePlus 16 превзойдет OnePlus 15 во всём?... (812)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...