- Крипторынок отреагировал паникой после... (2352)
- В России начали продавать Hyundai Lafesta... (1504)
- Lada Azimut без турбо: АвтоВАЗ приостановил... (1452)
- Renault попала под санкции в... (1516)
- Трамп анонсировал новые пошлины на товары из... (1341)
- РД-171МВ — самый мощный в мире жидкостный... (1439)
- РД-171МВ — самый мощный в мире жидкостный... (1254)
- Новая статья: Silent Hill f — может, хватит... (1315)
- Российские студенты стали активнее... (1528)
- Смартфон Honor X9d пережил падение с высоты... (1438)
- Спустя 11 лет разработки в ранний доступ... (1574)
- Фейковые копии ИИ-генератора Sora наводнили... (1238)
- Российский радиотелескоп RadioAstron получил... (1246)
- Philips выпустила 25-дюймовый игровой... (1668)
- Phillips выпустила 25-дюймовый игровой... (1367)
- AMD выпустила графический бета-драйвер с... (1331)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...