- Одна из самых надёжных ракет тяжёлого класса... (1144)
- Новая полноприводная Skoda Octavia поступила... (1135)
- Цены упали до уровней 2023 года: подержанные... (1660)
- После смены гендира Intel стала активно... (1128)
- Глава Intel не стесняется продавать... (2233)
- На голову выше: Lada Vesta и Lada Iskra... (1558)
- «Демпинг перешёл все мыслимые границы».... (1883)
- Представлен 667-сильный седан с поворотными... (1482)
- ByteDance и Alibaba заинтересовались... (1429)
- ByteDance и Alibaba проявили... (1636)
- Складной смартфон Samsung Galaxy Z TriFold... (958)
- Складной смартфон Samsung Galaxy Z TriFold... (1608)
- Белорусские власти заблокировали доступ к... (1074)
- Премиум-бренд Hyundai готовит убийцу BMW M5... (2271)
- Белорусские власти заблокировали доступ к... (2295)
- DeepSeek заподозрили в обучении новейшего ИИ... (1468)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...