- Xiaomi выпустила 34-дюймовый игровой монитор... (1953)
- ИИ нашёл на Луне два возможных входа в... (1485)
- На лицо ужасная, добрая внутри: демо Heroes... (1393)
- Видео с «поездом» из спутников Starlink... (1500)
- Gigabyte выпустила 31,5-дюймовый игровой... (1421)
- Шпионское ПО ClayRat атаковало российских... (1267)
- Intel XeSS 3 с мультикадровым генератором... (1433)
- Крошечная рекурсивная ИИ-модель Samsung... (1435)
- В деле о незаконных поставках ускорителей... (1190)
- У дилеров в Белоруссии появился обновлённый... (1247)
- Исследование показало, что современному... (1502)
- Китайские светодиоды проникли в российские... (1293)
- OpenAI догнала Anthropic в... (1321)
- Galax выпустила однослотовую GeForce RTX... (1259)
- Copilot в Windows теперь может создавать... (1411)
- Sammobile: Samsung Galaxy S26 Pro получит... (1311)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...