- 75 дюймов, 4K 144 Гц, Mini LED, Dolby Vision... (1082)
- ИИ, 6300 мА·ч, AMOLED, 120 Гц и индикатор... (1180)
- Базовый Apple iPad станет намного... (1089)
- В России появилась технология получения... (1096)
- Пока одобрены только Huawei и Cambricon.... (1167)
- AMD представила две видеокарты с 32 ГБ... (1134)
- АвтоВАЗ объяснил, почему брак в новых Lada... (1186)
- Повеяло духом Sony Ericsson Xperia Play... (1181)
- В этот 1-литровый мини-ПК FEVM FX-EX9... (1131)
- TSMC передумала выпускать 6-нм чипы в... (1064)
- «Алиса» в Telegram и Max переехала на самую... (1168)
- «Играть практически невозможно»: покупатели... (1162)
- Micron тоже будет выгоднее выпускать DDR5,... (1105)
- Очень высокая плотность пикселей, но даже... (1521)
- Обновлённый Geely Monjaro выходит в... (1161)
- Скоро на рынок хлынут материнские платы... (1164)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...