- В России подскочил спрос на пауэрбанки с... (1806)
- В МФТИ нашли альтернативу Nvidia:... (1475)
- Просторный 7-местный микроавтобус по цене... (1593)
- Будущие консоли Xbox могут получить... (1163)
- АвтоВАЗ мощно прокачал Lada Niva Travel... (1599)
- Зоркий фанат нашёл доказательство, что... (1183)
- Салон премиум-класса, гибридная система на... (1152)
- От звукового барьера к энергетическому: Boom... (1055)
- Учёные подтвердили, что социальные сети... (1164)
- Nvidia разыграет сверхредкую GeForce RTX... (1270)
- Kia Sportage дорожает в России на фоне... (1556)
- Редчайший парад начинается: сближение Марса... (1432)
- Умная стиральная машина Xiaomi на 12 кг... (1308)
- Из Питера в Казань за сутки: «Магнит» и... (1161)
- «Приветствую вас, земляне!»: ИИ впервые... (1222)
- Новый монитор Apple Studio Display будет... (1195)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...