- Новая статья: Gamesblender № 761: GTA VI... (1278)
- Такого не было давно: Bitcoin упал ниже 78... (1154)
- Новый Mercedes-Benz S-класса получил по 25... (1379)
- Suzuki Jimny превратили в мини-Land Cruiser:... (1197)
- Samsung Galaxy A33 и Galaxy A35 получили... (1063)
- 10 тыс. ампер на ускоритель: AmberSemi... (1840)
- Немецкий автопром в штопоре: Bosch увольняет... (1616)
- Флеш-альянс без срока давности: Kioxia и... (1406)
- Android 16 вышла 7 месяцев назад, но она... (2632)
- IBM превзошла прогнозы Уолл-стрит благодаря... (1949)
- Пользователь заказал GeForce RTX 3080 Ti за... (1766)
- Очень выгодный апгрейд: новый Ryzen 7... (985)
- Не только ChatGPT: ИИ Google и Microsoft... (1781)
- Поток рентгеновского излучения 31... (920)
- Dewalt представила первого в мире робота для... (831)
- Все GeForce RTX 5090 FE раскупили за 7... (1193)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...