- Павел Дуров оплакал «свободный интернет,... (1309)
- Так выглядит самая дешевая Lada Iskra:... (1638)
- У Tesla Optimus появился сильный конкурент с... (1244)
- Воруют все: из Samsung, SK hynix и TSMC... (1530)
- Time присудил Honor две награды в конкурсе... (1319)
- Обновление в отечественном мессенджере Max:... (1395)
- Три 50-мегапиксельных сенсора, один... (1387)
- В отечественном мессенджере Max повились... (1444)
- «Настоящая игра престолов»: разработчики... (1238)
- Intel сократит опенсорсные разработки,... (1472)
- Китайские власти захотели насолить не только... (1386)
- 5-метровый кузов и новое поколение гибридной... (1317)
- Моддер добавил в Cyberpunk 2077 аналог... (1287)
- iPhone 11 и 12 в лидерах по снижению цен:... (1461)
- Представлен Figure 03 — человекоподобный... (1309)
- TSMC во втором квартале нарастила долю на... (1513)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...