- Китайские умельцы утроили память GeForce RTX... (2838)
- Google TV сможет превращать смартфон с... (2858)
- Электричество для миллиона домов в течение... (2587)
- Новая статья: Star Wars Zero Company — XCOM... (3050)
- Мотор мощностью 550 Вт, 45 км на одной... (2608)
- Интернет и мобильная сеть с высоты 20... (2529)
- В Москве запустили производство серверных... (2589)
- Китайскую СХД выписали из лидеров IO500 —... (2271)
- Новая навигация вместо GPS, которая мощнее и... (2469)
- Недорогой Full HD-проектор с автоматической... (2387)
- Цены на NAND-память «выросли достаточно». Об... (2449)
- Китайская SMIC почти догнала Samsung.... (2131)
- Micron выплатит сотрудникам на Тайване до 68... (2104)
- Культовый скролл-шутер Gley Lancer с Sega... (2157)
- 40 кВт при КПД до 96%: в Москве запустили... (1905)
- Qualcomm и Samsung не договорились. Свежие... (1986)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...