- Ничего подобного в смартфонах ещё не было:... (1519)
- Левитирующие электроны — новые кандидаты на... (1461)
- «Готовим фойе к прибытию первых гостей»:... (1224)
- Голливудские агентства резко раскритиковали... (1330)
- Китайская Deep Robotics представила первого... (1509)
- На что ушли «четыре года упорного труда».... (1321)
- Новый Samsung с Super AMOLED-дисплеем,... (1388)
- OpenAI превратит ChatGPT в операционную... (2380)
- 100–240 В, 140 Вт, технология GaN и четыре... (1723)
- Начато расследование из-за сбоев Tesla Full... (1250)
- OpenAI готовится к новым крупным сделкам... (1428)
- В Китае запущено полностью независимое... (1380)
- Бывший глава Google заявил об опасности... (1365)
- «Плохим примером будет то, как они учатся... (2136)
- Apple берёт контроль: паранормальный экшен... (1390)
- SpaceX ежедневно теряет до четырёх спутников... (1470)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...