- На момент анонса State of Decay 3... (846)
- Apple удалила мессенджер Bitchat основателя... (814)
- Intel внезапно представила пару мобильных... (769)
- Объявлена дата анонса смартфонов Honor 600 и... (818)
- Умные очки M**a научились изучать еду... (898)
- Запуск лунной миссии Artemis II обернулся... (828)
- «Прогресс МС-35» прибыл на... (917)
- «Прогресс МС-35» прибыл на Байконур перед... (765)
- Россия планирует расширить спутниковую... (1051)
- Дефицит Mac Mini и Mac Studio усугубляется:... (776)
- Роскомнадзор второй раз за полгода опроверг... (934)
- Глубокий анализ астероида Бенну раскрыл... (1028)
- Intel пообещала и дальше выпускать... (894)
- Китайские власти не смогли заблокировать... (994)
- 15 российских провайдеров оштрафовали на 4... (979)
- Симулятор кошачьего завода «Мурзавод» от... (1039)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...