- Системная плата с плюшевой игрушкой в... (1551)
- Китай втихую запустил национальную... (2177)
- ASRock стала производителем СЖО и... (1419)
- Стартап Volta Space предложил передавать... (1686)
- Ноутбук Thunderobot ZERO Air предложит... (1995)
- Прошло два года, и процессор Core Ultra 7... (2038)
- Последняя версия MacBook Air с чипом Intel,... (1580)
- Радиотишина от... (1386)
- Asus повысит цены на ПК и ноутбуки с 5... (1555)
- Asus выпустила для Китая свою лимитированную... (2004)
- Первая магнитная буря 2026 года ожидается... (1452)
- Подвижное кольцо в Xiaomi 17 Ultra Leica... (1932)
- Хакер выставил на продажу более 200 ГБ... (1931)
- 14 моделей OnePlus получили обновление... (1733)
- Слабонервным не смотреть: японцы создали... (1850)
- Samsung представила смартфон Galaxy A17 5G и... (1506)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...