- В 3,5 раза быстрее Intel Core Ultra:... (1122)
- Gemini для Google TV научится настраивать... (1015)
- Новая статья: Итоги 2025 года: носимые... (1114)
- Астрономы в ОАЭ впервые зафиксировали с... (1169)
- Учёные впервые построили карты границы между... (1033)
- Древнейшее скопление галактик оказалось... (1033)
- Астронавты NASA проведут первые выходы в... (1081)
- TCL представила телевизор X11L с подсветкой... (1116)
- Интерфейс браузера Microsot Edge начали... (1048)
- Спустя семь лет после релиза для культовой... (1064)
- Asus показала флагманскую GeForce RTX 5090... (1263)
- Sandisk похоронила марки WD_Black и WD... (1150)
- Thermaltake представила ретро-корпуса с... (1256)
- «Выглядит чертовски хорошо»: фанаты остались... (1266)
- HD-экран и одна камера за 215 долларов, но... (1383)
- Qualcomm представила Snapdragon X2 Plus —... (1327)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...