- OpenAI рассчитывает разогнать годовую... (784)
- Red Magic Gaming Tablet 5 Pro выйдет весной... (674)
- Запуск ракеты Falcon 9 с новым ускорителем и... (590)
- Оригинальное видео анонса технологии Nvidia... (726)
- Крупномасштабную установку для хранения... (619)
- Tesla установила уже 80 тыс. станций быстрой... (840)
- Корабль Orion выполнил финальный... (867)
- Россияне жалуются на массовый сбой сервиса... (870)
- Учёные реконструировали кожу тираннозавра, и... (914)
- «До мурашек»: датамайнер заворожил фанатов... (642)
- В России начались исследования темной... (704)
- Слухи: в Steam появится способ оценки... (725)
- Samsung отказывается от собственного... (827)
- Исследование: роботы-курьеры могут... (835)
- Компания GAC рассекретила свой первый... (872)
- Число доменов-угонщиков аккаунтов в Telegram... (829)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...