- Российская атомная энергоустановка для Луны... (691)
- В РКН пожаловались на резкий скачок... (897)
- «Это только начало»: авторы Arc Raiders... (760)
- Samsung Galaxy S25, Galaxy S25 Plus и Galaxy... (822)
- Anthropic приобрела стартап Coefficient Bio... (913)
- Anthropic приобрела стартап Coefficient Bio... (674)
- В MIT создали систему предварительного... (677)
- Вслед за Google ElevenLabs представила... (605)
- ISRO запускает высокогорную миссию в Ладакхе... (695)
- «Экспресс» в космос: с Роскосмосом заключили... (745)
- Intel инвестирует миллиарды в новые... (773)
- Tesla отделалась от расследования по поводу... (819)
- Mercedes-Benz внедряет электронное рулевое... (787)
- Без карт и счетов в иностранных банках: МТС... (646)
- Xiaomi выпустила встраиваемую стиральную... (870)
- Список достижений Starfield раскрыл... (828)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...