- Стали известны цены на запчасти для Xiaomi... (1762)
- Физики обнаружили неожиданное ускорение... (1116)
- Gigabyte представила четвёрку материнских... (1144)
- Теперь субпиксели размещены ровно. Появилась... (1176)
- Итальянские физики расширили поиск тёмной... (1523)
- AWS получила разрешение на строительство... (1104)
- Первая в мире плазменная система охлаждения... (1296)
- Displace представила 110- и 130-дюймовые... (1150)
- Компания GE представила «умный» холодильник... (1660)
- Норвегия почти достигла цели по полному... (1200)
- Прогноз: новая платформа Apple M5 Max может... (1135)
- Хакер, приговорённый к пяти годам тюрьмы за... (1085)
- 120 л.с., климат-контроль, 2 подушки... (1220)
- Brookfield готова побороться с... (1620)
- Похоже, американские санкции не работают: в... (1150)
- Не только аккумулятор 10 080 мАч, но еще и... (1077)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...