- Пропавший с радаров онлайн-шутер про... (1887)
- Искусственный интеллект Claude мог... (2155)
- Изогнутая VA-матрица на 200 Гц. Philips... (2032)
- Аналитики объяснили, почему Sony бросила... (1988)
- В Тольятти начали выпуск генераторов для... (2093)
- В космосе впервые испытали двигатель Холла... (1947)
- Wi-Fi 6, счетчик энергии и работа без... (2137)
- В США разрешили продавать роутеры Asus, а... (1941)
- Более миллиарда строк данных россиян утекли... (1926)
- Китай запланировал массовое внедрение... (2054)
- Гонку ИИ пора притормозить, но это может... (2080)
- Ноутбук, предлагающий до 192 ГБ ОЗУ и мощный... (2047)
- МегаФон запустил сеть 5G в... (2149)
- «Алису» могут сделать неудаляемой на... (2053)
- «Лазеры из космоса», выборы, фальсификации и... (1835)
- В России запустили серийное производство... (1986)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...