- Плоский ПК с RTX Pro 6000 Blackwell. Digital... (1243)
- Это почти как эталонная RTX 5090 FE, только... (1129)
- Если хочется смартфон с необычным экраном.... (1306)
- Очень тонкий магнитный «павербанк». Baseus... (1209)
- 10 000 мАч в корпусе размером с футляр для... (1253)
- Samsung готовит Portable SSD P9 — первый в... (1197)
- Моддер показал вырезанную сюжетную главу... (1516)
- Японский седан по цене Lada: в России сильно... (1474)
- Anthropic купит сотни тысяч ИИ-ускорителей... (1485)
- Anthropic купить сотни тысяч ИИ-ускорителей... (1315)
- Квартальная выручка Foxconn взлетела ещё на... (1265)
- Прощаемся с SSD WD_Black и WD Blue. Sandisk... (1353)
- Лишь 5 % игроков Dispatch обошлись без... (1619)
- Аккумулятор 10 080 мАч, немерцающий экран,... (1356)
- Nvidia сделает DLSS ещё лучше. Компания... (1551)
- Никаких новых видеокарт GeForce на CES 2026... (1215)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...