- Российские цены на тонкий Apple iPhone Air... (1547)
- «Газон Next» получил новый российский мотор:... (1917)
- Intel представила графическую архитектуру... (1548)
- Запрет установки Windows 11 с локальным... (1512)
- Bethesda привлекла авторов фанатской... (1571)
- SoftBank объявила о покупке... (1453)
- Intel представила апскейлер XeSS 3 и... (1511)
- «Невозможно тонкий» смартфон Motorola Edge... (1449)
- Ремастер ролевого экшена Sacred 2: Fallen... (1561)
- Motorola готовит к выпуску радикально тонкий... (1729)
- Человечество приняло ИИ быстрее, чем... (1327)
- Внедорожники Toyota Tacoma IV 2025 TRD Off... (1563)
- «Безответственный» ИИ: большинство компаний... (1488)
- Доступ в интернет по выходным сохранится —... (1466)
- Флагманская камера, почти флагманская... (1563)
- АвтоВАЗ запустил конвейерную сборку... (1700)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...