- Россия запускает литографы в серию: первую... (1735)
- Manli наделила младшие видеокарты RTX 5060 и... (1557)
- За десять дней в России открыли 87 тыс.... (1797)
- До 128 ядер на чип, поддержка LPDDR6 и PCIe... (1942)
- Ранний доступ в Google Play может... (1648)
- Xiaomi представила ночник Mijia Night Light... (1804)
- В России начали выпускать моноблоки с... (1696)
- OpenAI научила ИИ говорить и слушать... (2242)
- Honor привезла на Венецианский кинофестиваль... (1536)
- Продажи настольных CPU рухнули на 33 %, но... (1820)
- Европейские цены на Nvidia GeForce RTX 5090... (1845)
- «Авто.ру» покажет, как били машину: в... (1834)
- Советские атомные реакторы запитают финские... (1545)
- «Яндекс Фабрика» выпустила линейку техники... (1469)
- «Яндекс Фабрика» выпустила линейку техники... (1719)
- «Алиса AI» достигла исторического максимума:... (1882)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...