- «Миллиард ИИ-чипов, тераватт вычислительной... (1992)
- Россиянин планирует первым совершить... (1356)
- «Это новый подход к проектированию дронов»,... (1709)
- До 400 км/ч, стабильный Wi-Fi, из Москвы в... (1500)
- Intel начала в Аризоне выпуск чипов по... (1861)
- Выяснился дизайн и характеристики... (1510)
- «Вернись, я всё прощу»: YouTube позволит... (1312)
- Новая статья: Лишнего не надо: обзор... (1404)
- Почти $1 млрд сборов гарантировал... (1863)
- MachineGames отметит 15-летие крупным... (1663)
- AMD и Sony рассказали о технологиях будущих... (1538)
- Intel представила 288-ядерные процессоры... (1668)
- Яркий мультиплеер и бледная кампания:... (1642)
- В Китае запущен первый в мире двухбашенный... (1535)
- Дошли до Сан-Томе и Принсипи: «Билайн»... (2443)
- «Ситидрайв» обновил долгосрочную подписку на... (1815)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...