- Asus покажет на CES 2026 первое устройство с... (1234)
- Почти все самые мощные среднебюджетные... (1696)
- Clicks представила смартфон в стиле... (1214)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS проигнорировала... (1749)
- Крупнейший поставщик юридических данных... (1248)
- Birdfy представила «умные» кормушки Birdfy... (1345)
- Microsoft представила инструменты для защиты... (1289)
- Samsung представила 6K 3D-монитор Odyssey 3D... (1857)
- Бета-версия Realme UI 7.0 доступна для 11... (1420)
- SpaceX сократила число сводимых с орбиты... (1232)
- Fender Audio представила свои... (1387)
- Skoda Superb 2025 в России подешевели до 3... (1497)
- Анализ одной клетки: квантовые методы могут... (1358)
- Новые Rolls-Royce Cullinan в России... (1465)
- Дешевле аналогичных китайских кроссоверов:... (1170)
- Pebble представила умные часы Round 2 —... (1234)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...