- Период переохлаждения. Иностранные SIM-карты... (1517)
- В Сбербанке началось массовое сокращение... (1391)
- Оплата смартфоном или простейшим кнопочным... (1622)
- МТС полностью прекратит обслуживание сетей... (1409)
- Китай наладил выпуск детских игрушек с ИИ и... (1608)
- И целого триллиона мало: OpenAI заявляет,... (1466)
- Седан Chery Arrizo 6 с автоматизированной... (1663)
- ИИ-браузер Dia стал доступен всем... (1257)
- Blue Origin получила контракт на $78,2 млн... (1624)
- Южноафриканский суд поддержал решение... (1620)
- ЕС планирует расширить контроль над... (1458)
- Официально: обновленный роскошный минивэн... (1518)
- ЦБ РФ решил допустить банки к работе с... (1604)
- Создатели Hyper Light Drifter и Solar Ash... (1430)
- Россияне всё больше любят Solaris: за... (1614)
- AliExpress: самые популярные ноутбуки 2025... (1479)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...