- Xiaomi празднует день... (815)
- Возрожденная Volga готовится выйти на... (931)
- Иран угрожает разбомбить «Звездные врата» —... (938)
- Голливуд, берегись: Grok Imagine научился... (895)
- Samsung полностью откажется от собственного... (637)
- Илон Маск признался: уникальная зарядная... (804)
- Баканов: МКС сведут с орбиты по плану в 2030... (793)
- Новые бестселлеры Huawei: продажи Huawei... (826)
- Обсерватория им. Веры Рубин обнаружила 11000... (747)
- Intel испытала нейронное сжатие текстур на... (839)
- Huawei Pura 90 Pro получит значительно... (977)
- ИИ помог запустить Windows на несовместимой... (811)
- Представлен смартфон Honor X70 Refresh... (853)
- Процессор Intel Bartlett Lake смог запустить... (811)
- Самая большая батарея в истории... (632)
- Xiaomi срочно чинит флагманы: крупное... (609)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...