- Смартфоны Xiaomi 15T и Xiaomi 15T Pro с... (1376)
- ИИ-кнопка с «Алисой», селфи на 50 Мп, 5500... (1322)
- Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI nova... (1364)
- В рейтинг 25 самых знаковых технологий и... (1386)
- Новый смартфон Samsung получит одновременно... (1383)
- Dimensity 9500, 7500 мА•ч,... (1335)
- Россияне не оценили: на всю страну продано... (1475)
- До 300 дюймов, 4K, яркость 4500 CVIA-люмен,... (1311)
- Современные лазерные 4K-проекторы, недорого.... (1485)
- В России зафиксирован «ажиотажный спрос» на... (1262)
- 200-мегапиксельная камера Leica, 6000 мАч,... (1402)
- Плотность энергии более 500 Втч/кг. Ученые... (1516)
- Новый «Москвич-2141» почти без пробега в... (1474)
- Китай объявил «нежелательной организацией»... (1432)
- Министерство торговли Китая ввело санкции... (1457)
- «Миллиард ИИ-чипов, тераватт мощности и 100... (1303)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...