- Утечка раскрыла дизайн компактной... (1925)
- Сорванные сроки, дороговизна разработки и... (2626)
- «Не люблю, когда мне лезут в душу»: M**a... (2034)
- Запуск 5G в России: драйверами роста станут... (1731)
- Обширная метроидвания Aeterna Lucis отправит... (1909)
- Два частных космических аппарата показали... (1714)
- OpenAI ускорит научные исследования с... (1892)
- Эксклюзивную GeForce RTX 5090 почти можно... (1760)
- «Нужно брать деньги и бежать»: власти... (1860)
- Xiaomi выпустила ИИ-модель CocktailASR-1 для... (2073)
- Volkswagen анонсировал суперэкономичный... (1707)
- Lenovo скрестила мобильный процессор и... (1694)
- Lenovo скрестила мобильный процессор и... (1598)
- Из-за утечки воды в незаконном... (1681)
- «НТВ-Плюс» возобновил вещание через... (1653)
- Цукерберг хотел плоскую M**a, но ИИ всё... (1755)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...