- Добро пожаловать в «вулнапокалипсис»: ИИ... (1043)
- Российский ответ Fallout Shelter не заставит... (753)
- Смартфоны Samsung первыми получат Gemini... (1260)
- В Windows нашёлся бэкдор для... (635)
- К выходу готовится игровой смартфон Infinix... (690)
- Best Buy проговорилась, когда стартуют... (422)
- Власти США одобрили продажу ускорителей... (916)
- Контрафакт захлестнул рынок серверных... (1135)
- В Китае разработали присадку для... (661)
- BYD рассказала о технологии, которая поможет... (740)
- ИИ-бум удесятерил стоимость SK hynix —... (623)
- «Билайн» запустил 5G для россиян, но не в... (912)
- Российский аналог Starlink начали испытывать... (642)
- Некогда чрезвычайно успешная GoPro ищет себе... (557)
- Copilot в Microsoft Edge научился... (420)
- Apple вступилась за Android: ЕС хочет... (367)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...