- Китай начал расследование политики США в... (116)
- Новая статья: Cronos: The New Dawn — не... (142)
- Новая статья: Gamesblender № 743: анонс... (170)
- Mercedes-Benz показал первый тизер... (107)
- xAI сокращает штат на треть: 500 уволенных и... (122)
- Неожиданный провал BMW 1 серии: всего четыре... (133)
- NASA готовит к первому полёту тихий... (181)
- SpaceX успешно запустила очередной пакет из... (160)
- Испанский бренд Cupra представил концепт-кар... (139)
- Чеснок, скафандр и уникальная установка для... (186)
- Ram отменяет разработку полностью... (249)
- Водоблок для RTX 5090 по цене RTX 5070.... (194)
- Первый за очень много лет смартфон Sony с... (150)
- Петя вернулся: обнаружен опасный... (163)
- Готовимся к зиме: Xiaomi представила... (138)
- Пользователям Galaxy S25 приготовиться:... (161)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...