- Праздник для пользователей Galaxy S26,... (7)
- Первый в мире робот-проводник Володя будет... (13)
- iPhone 18 Pro Max забрал лидерство,... (7)
- Открытие китайских учёных кратно ускорит... (6)
- Xiaomi представила холодильник, который сам... (11)
- При заказе топовых версий Mac Studio ждать... (14)
- Xiaomi 18 Pro впервые засветился на реальных... (8)
- Даже RTX 5090 выдаёт лишь около 25 к/с.... (71)
- «Самое большое обновление в истории серии».... (84)
- 2ГИС превратился в сервис доставки: посылки... (75)
- Micron создала планку DDR5 объёмом... (61)
- Тан бьёт тревогу: Intel не может... (72)
- Может ли Radeon RX 9070 XT быть быстрее... (67)
- Remedy не сомневается в успехе Control... (74)
- Луна и Венера будто встретились в небе —... (76)
- «Билайн» сохранит интернет даже при минусе... (122)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...