- Люксовая версия Toyota Camry стала еще... (95)
- Новая статья: Slitterhead — странная... (91)
- Китайские ученые: на обратной стороне Луны... (149)
- Новая статья: Gamesblender № 700: угроза... (157)
- На проекте термоядерного реактора ИТЭР во... (171)
- Белорусские лонжероны, 130 км/ч,... (164)
- Китайская ракета «Большого скачка в космос»... (200)
- «Теперь это возможно». Илон Маск готов... (262)
- Стартап xAI Илона Маска получит от арабов $5... (224)
- Сандийские национальные лаборатории... (260)
- Российскому космическому телескопу рано на... (221)
- Пара чёрных дыр влетела в межзвёздное облако... (230)
- В России начнут выпускать копию... (265)
- Грузовой корабль «Прогресс МС-29»... (243)
- Как на Raspberry Pi 5 запустить Doom... (437)
- Отходы производства бурбона могут стать... (355)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...