- Чипсет AMD B650 превратили в плату... (487)
- Анонсирована Guild Wars 3 — масштабная... (389)
- Сравнение смартфонных чипов показало... (490)
- ChatGPT получил крупнейшее обновление и... (528)
- OpenAI добавила ChatGPT режим блокировки для... (765)
- У Rutube появится первый собственный ЦОД... (658)
- «Новая брутальная глава»:... (787)
- Molex представила многоканальную шину с... (920)
- MediaTek продемонстрировала оптический... (649)
- Первые флоппи-диски были запатентованы 54... (882)
- Intel и Hitachi договорились о... (973)
- Tesla не теряет надежды наделить Roadster... (988)
- Илон Маск обсудит с ASML планы по... (888)
- Трамп захотел наградить всех американцев... (1193)
- «С возвращением, Mass Effect»: 20 минут... (1221)
- Новая статья: Mina the Hollower —... (1064)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...