- Китай протестировал робота для церебральной... (120)
- Роботы Xiaomi учатся чувствовать: создана... (251)
- Аккумулятор 8000 мАч, быстрая зарядка, экран... (165)
- Altera и Arm объединят FPGA и Arm AGI для... (155)
- Китай показал «космическую заправку»:... (159)
- Google упростила «переезд» в Gemini из... (271)
- Samsung разработала QuantumBlack — покрытие... (139)
- Huawei усилила Ascend 950PR совместимостью с... (151)
- Представлены новейшие телевизоры Sony Bravia... (148)
- Максим и Никита оказались в числе самых... (131)
- Максим и Никита оказались в числе самых... (228)
- OnePlus сообщила о безумном росте цен на... (128)
- В Европе создают спутник с «бесконечным»... (291)
- Huawei представила новую конструкцию... (144)
- ЕС притормозил спорный «Закон об ИИ», но... (237)
- Учёные обнаружили материал с переключаемыми... (238)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...