- «Билайн» удвоил скорость строительства сети... (672)
- Хакеры взломали популярный текстовый... (556)
- Установлен новый мировой рекорд скорости... (1378)
- Компьютеры Raspberry Pi снова подорожали —... (649)
- Первая пилотируемая миссия к Луне за более... (556)
- Большой экран 6,9 дюйма, большая батарея... (771)
- Даже официального представительства... (862)
- Поддельные SSD научились обманывать Windows... (799)
- Выдерживают до 1300 °С: в России испытали... (539)
- В России перезапустили бывший завод General... (923)
- Belgee снова подняла цены в России:... (790)
- В Россию официально приходит внедорожник... (549)
- Xiaomi: Redmi Turbo 5 стал хитом, а Redmi... (1173)
- Самый продаваемый кроссовер бренда в России... (1176)
- Земля на линии атаки: активный центр,... (1359)
- В России создали 3-тонное зеркало диаметром... (819)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...