- В России представлен обновленный Haval H3:... (507)
- Стирально-сушильная машина с двумя... (543)
- На авторынке Белоруссии началась настоящая... (511)
- Apple уже работает над новыми AirPods Pro и... (578)
- Как снимает 200-мегапиксельная камера Zeiss... (624)
- OpenAI определила эпоху ИИ и стала... (482)
- Первый в мире внешний аккумулятор и зарядное... (445)
- Представлен Land Rover Defender 110 Trophy... (565)
- IBM представила ускоритель Spyre Accelerator... (898)
- Обновленная Lada Niva Travel с 1,8-литровым... (371)
- 245 л.с., 8-ступенчатый «автомат» и полный... (448)
- 150 тысяч километров без проблем: АвтоВАЗ... (585)
- Такую Toyota Corolla мы ещё не видели:... (534)
- Кризис европейского автопрома: восемь... (807)
- Intel начала сворачивать поддержку... (740)
- Российские автодилеры распродают остатки:... (576)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...