- «Чертовски крутой» шутер новой студии... (357)
- Caviar представила роскошные iPhone 17 в... (194)
- Пока без китайцев: Sony представила... (207)
- Смартфон Tecno Camon 50 поступил в продажу в... (190)
- AMD наконец-то представила его. Ryzen 9... (197)
- OpenAI передумала развращать ChatGPT —... (312)
- DJI подала в суд на Insta360 за кражу... (301)
- Чтобы мониторы QD-OLED отражали меньше... (250)
- Intel официально подтвердила, что не... (209)
- TeamGroup представила SSD T-Create Classic... (197)
- Блоки питания MSI с поддержкой GPU... (238)
- У MacBook Neo чудовищный уровень троттлинга,... (356)
- Эксперимент ECHo уточнил верхний предел... (206)
- Учёные разработали топливные элементы без... (356)
- Испания завершила тестирование крупнейшей в... (296)
- Российские учёные разработали метод,... (283)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...