- Нет, новейший Samsung Galaxy Z TriFold не... (403)
- Samsung показала, как производится и... (348)
- Яндекс запустил ИИ-помощника для авторов... (384)
- В мире насчитывается около 1 млрд ПК с... (544)
- Формат Micro-ATX, но тут сразу четыре слота... (463)
- Создатели возрождённой ролевой песочницы... (526)
- Intel выборола себе целый 1% на рынке... (461)
- Первый смартфон Honor с аккумулятором на 10... (623)
- Ноутбучная видеокарта возглавила рейтинг... (655)
- 9000 мАч, 100 Вт и «большая... (434)
- AMD поднимет цены на все свои процессоры уже... (499)
- Новая камера для флагманских смартфонов... (575)
- Руководство Ford: системы дизайна и САПР... (563)
- В России продают идеальные «Жигули» —... (387)
- Американский ИИ-стартап ищет деньги, чтобы... (441)
- Китайский аналог Toyota Alphard подорожал в... (667)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...