- «Алиса» научилась отвечать на вопросы о том,... (2766)
- Энтузиаст потратил три тысячи долларов,... (3322)
- Samsung рассчитывает запустить плавучие ЦОД... (3336)
- «Сбер» представил ИИ-сервис для поиска АЗС,... (3680)
- Мировые поставки домашних роутеров рухнули... (3572)
- Вышел монитор Gigabyte GO27Q24G с матрицей... (3511)
- NASA запустило видеотрансляцию с лунной... (3571)
- InWin представила корпус L50 Breeze с... (2000)
- Полиция почти сотни стран провела операцию... (2516)
- Учёные создали кремниевый ДНК-принтер — для... (2131)
- AMD представила 11 мобильных процессоров... (3005)
- ОДК представила российские газотурбинные... (1948)
- «Зомби-иск» о правах на UNIX, оживший по... (2801)
- Gigabyte представила видеокарту Aorus... (2649)
- В Китае разрешили передавать по наследству... (2638)
- Кнопки возвращаются в авто: Китай запретил... (2719)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...