- Nvidia представила открытую ИИ-модель для... (3500)
- CATL рассказала, когда начнёт выпускать... (3291)
- «Вот настоящая Mass Effect 5»: 40 минут... (2828)
- Новая статья: С кем болтает ваш компьютер:... (3219)
- Xreal представила Aura — лёгкие очки на... (2798)
- Секретная ИИ-модель Anthropic выкачала фото... (2679)
- Трейлер подтвердил дату релиза дополнения... (2807)
- Google представила Gemini 4 Carbon —... (2951)
- Sony добавила в ноябрьскую подборку PS Plus... (2645)
- «Яндекс» переманил к себе техдиректора... (1778)
- Sony представила полупрозрачные геймпады... (2677)
- Учёные описали новый механизм передачи... (2628)
- Apple представила новые MacBook Pro с... (2849)
- Steam не станет защищать разработчиков от... (2619)
- Reddit переделала главную страницу под ленту... (2630)
- Илон Маск хочет выкупить сотни домов, чтобы... (2527)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...