- Framework сообщила о стабилизации цен на... (730)
- Создатель Claude Code рассказал, что каждую... (1447)
- FCC разрешила SpaceX использовать частоты... (1045)
- Sony представила смартфон Xperia 1 VIII —... (1206)
- Resident Evil Requiem обеспечила Capcom... (876)
- M**a отступила перед Еврокомиссией —... (1049)
- Новые процессоры NASA для космоса оказались... (844)
- ФБР удалённо сбросило настройки на домашних... (2000)
- Панос Панай из Amazon прокомментировал слухи... (1127)
- «Дорогие и быстро устаревают»: создатель... (1127)
- Биржи начнут торговать фьючерсами на... (980)
- Установлена дата дебютного запуска мощнейшей... (805)
- Хакеры из Nitrogen заявили о краже 8 Тбайт... (850)
- Приложение камеры в Apple iOS 27 станет... (1032)
- Вышел геймплейный трейлер Noir Bloom —... (1107)
- В некоторых Googlebook будут использоваться... (1389)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...