- +3 % производительности ценой +30 % энергии:... (767)
- Прогресс в частоте AMD Ryzen 7 9850X3D... (537)
- Asus и HiFiMan выпустили игровую гарнитуру... (688)
- ASUS и HiFiMAN выпустили игровую гарнитуру... (910)
- xAI выпустила Grok Imagine 1.0 с поддержкой... (861)
- Arm расширила бесплатный доступ к своим... (588)
- Arm сделала бесплатным доступ к своим... (710)
- Первый за 50 лет полет людей к Луне... (982)
- В Firefox появится выключатель всех... (744)
- SpaceX поглотила xAI: новая мегакорпорация... (636)
- Материнские платы ASRock убили пять... (870)
- Юпитер похудел: крупнейшая планета Солнечной... (669)
- Apple выпустила обновления операционных... (747)
- Новая статья: Обзор материнской платы MSI... (1002)
- Новая статья: ИИтоги января 2026 г.: будет... (1302)
- Суровое альпинистское приключение Cairn от... (1473)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...