- OpenAI в августе прекратит поддержку... (2275)
- Micron увеличила до $250 млрд свой вклад в... (1948)
- Micron пообещала вложить $250 млрд в... (2212)
- Micron договорилась вложить $500 млн в... (1988)
- Google начнёт помечать рекламу, созданную... (2888)
- Новая статья: Обзор складного смартфона... (1890)
- Отчёт Backblaze: жёсткие диски на 22–24... (3119)
- Palworld не подорожает на релизе, но сломает... (2280)
- OpenAI выпустила GPT-5.6 и научила ChatGPT... (3219)
- SpaceX бьёт рекорды: в 36-й раз запустила... (2222)
- Переносы, переработки и потеря талантов:... (3548)
- M**a представила ИИ-модель Muse Spark 1.1 —... (2273)
- Амбициозный средневековый симулятор The... (3307)
- Windows 95 определяла установщики программ... (3305)
- Apple заинтересовалась технологией PrismML... (1970)
- M**a начнёт выпускать собственные ИИ-чипы... (2281)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...