- В отечественном мессенджере Max обновились... (845)
- «Инферит» представил российские 2U-серверы... (646)
- Быстро набрал обороты: российский бренд... (756)
- Tank 300 начнут выпускать в России — уже... (661)
- OpenAI растёт быстрее всех — но теперь никто... (604)
- SpaceX показала вживую носовую часть... (674)
- В России представлен обновленный Haval H3:... (582)
- Стирально-сушильная машина с двумя... (614)
- На авторынке Белоруссии началась настоящая... (567)
- Apple уже работает над новыми AirPods Pro и... (669)
- Как снимает 200-мегапиксельная камера Zeiss... (739)
- OpenAI определила эпоху ИИ и стала... (541)
- Первый в мире внешний аккумулятор и зарядное... (481)
- Представлен Land Rover Defender 110 Trophy... (625)
- IBM представила ускоритель Spyre Accelerator... (978)
- Обновленная Lada Niva Travel с 1,8-литровым... (417)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...