- Одним из главных преимуществ ИИ Google стало... (379)
- Российский кроссовер с запасом хода 1250 км... (681)
- Анонсированы первые в мире AR-очки Xreal 1S... (546)
- Перешёл на другую работу: стало известно,... (536)
- 7200 мАч, чистый экран без вырезов,... (393)
- Новейший 75-дюймовый телевизор Xiaomi Mini... (482)
- Samsung Electronics создала... (392)
- Очередная круговая сделка в ИИ-пузыре:... (377)
- Стример первым в мире прошёл Escape from... (481)
- Астрономы обнаружили 53 гигантских квазара,... (378)
- Обнаружены «плазменные пушки» вселенского... (420)
- 7000 мАч, 200 Мп и много памяти. Инсайдер... (501)
- Редкий успех Tesla: в Норвегии в этом году... (562)
- Китайские открытые ИИ-модели во всю... (349)
- Смартфон Realme GT 8 Pro поступил в продажу... (676)
- 7000 мАч, 120 Вт, экран 2K 144 Гц,... (395)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...