- Ожившая настольная игра Baladins с... (4412)
- Вычислительный модуль Raspberry Pi Compute... (4173)
- Минцифры: доля Telegram в российском... (6893)
- Корейские учёные научились быстро и просто... (7380)
- США задумались о возможности ограничения... (6122)
- Росфинмониторинг и банки научились... (5927)
- В классическую Doom теперь можно сыграть... (5513)
- Использование 5G для операторов могут... (4621)
- VK Play исполнилось два года: 16,4 млн... (4830)
- 8К-гейминг: в турецких PS Store и Microsoft... (5216)
- M**a не ждёт быстрой отдачи от генеративного... (4492)
- Грузовой корабль «Прогресс МС-27» успешно... (4748)
- TSMC начнёт выпуск 1,6-нм чипов в 2026... (4752)
- Tank 300, подвинься. В России выходит Haval... (5530)
- Представлен новый Hyundai Tucson L:... (3763)
- Представлен новый Hyundai Tucson L:... (6570)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...