- Выручка Nebius Аркадия Воложа взлетела на... (769)
- Разработчики Subnautica 2 подтвердили утечку... (609)
- Linux снова под ударом: раскрыт эксплойт... (1169)
- Нидерланды выступили против новых санкций... (1000)
- Motorola выпустила трекер Moto Tag 2 с... (744)
- Он настоящий: создатели Trump Mobile T1... (934)
- Хакеры атаковали интернет-магазин Škoda —... (655)
- Waymo отучит роботакси штурмовать... (775)
- Nothing Phone (4a) и Phone (4a) Pro... (731)
- AMD предупредила об уязвимости в процессорах... (1107)
- Биологический ИИ оказался обоюдоострым: он... (1049)
- Европа задумала проложить интернет-кабели в... (790)
- Microsoft объяснила, как планирует ускорить... (853)
- Денег Безоса больше не хватает: Blue Origin... (1120)
- AMD расширила серию процессоров Ryzen Pro... (1102)
- Китай приблизился к созданию собственной... (1038)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...