- Первый компактный флагман на Dimensity 9500.... (1323)
- Microsoft сломала инструмент обновления до... (693)
- FSR 4 заработала на старых Radeon — но... (644)
- Календарь релизов — 13–19 октября: Steam... (520)
- Отправиться в жуткое кооперативное... (646)
- Лавкрафтианский хоррор-шутер Beneath не... (627)
- К запуску последнего Starship текущего... (429)
- Погода благоприятная, к запуску последнего... (566)
- В «VK Музыке» появились билеты на концерты и... (585)
- Realme представила AI Edit Genie — голосовой... (588)
- Первый в истории смартфон с гибридной... (561)
- Новая статья: Intel Xeon 6+ Clearwater... (735)
- Новый Renault Duster 2025 появился в продаже... (742)
- ИИ посоветует: в Rutube заработала... (665)
- Первый складной iPhone может оказаться... (770)
- Microsoft не хватает ЦОД и серверов в США,... (559)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...