- Руководитель поиска Google призвал... (4670)
- Приближали как могли: военная стратегия Men... (4822)
- Snapdragon X Elite на уровне Ryzen 9 5900X,... (4584)
- EKWB признала финансовые проблемы, но у... (4260)
- SSD Samsung 1080 Pro объёмом 4 ТБ за 40... (4460)
- Noctua представила низкопрофильный кулер... (4630)
- Новое землетрясение на Тайване заставило... (4659)
- Стратегия Songs of Conquest в духе «Героев... (4730)
- Про гарнитуру Apple Vision Pro все уже... (4591)
- Apple назначила очередное мероприятие на 7... (4687)
- Представлен Haval Raptor 2024. Дешевле... (4399)
- Звезда GTA V пролил свет на отменённое... (5337)
- Гибрид — это не только мощно и экономично,... (4393)
- Росатом показал проект плавучей АЭС. Её... (4440)
- Подарок ко Дню космонавтики: российская... (4249)
- Подарок ко Дню космонавтики: российская... (4098)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...