- NASA сумела продлить жизнь «Вояджеру-1» на... (1750)
- Новая формула расчёта урона, переработка... (1688)
- Anthropic запретила клонировать игры в... (2053)
- В официальный Claude Code подсадили троян —... (1976)
- Honor представила среднебюджетный смартфон... (1932)
- Звёздные войны: авторитетный инсайдер... (1884)
- Луч надежды: Kioxia допустила, что... (1855)
- FromSoftware без предупреждения отключила... (2255)
- Представлен кнопочный телефон Nokia 2360... (2235)
- Китайская CXMT богатеет вместе с лидерами... (1904)
- Китайская Iluvatar заявила, что сделала... (1951)
- Crimson Desert стала ещё больше — в продажу... (1859)
- Android 16 стала самой популярной версией... (1896)
- Фотоэлектричество ночью — графен можно... (2282)
- Samsung представила версию Galaxy Z Fold8... (2109)
- Marvin Mode, фоторежим, редактор модов и не... (2500)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...