- Еврокомиссия признала вызывающий зависимость... (2006)
- Себестоимость iPhone 18 Pro Max может... (1374)
- Инженеры в США создали ныряющую робоптицу... (1972)
- Nvidia представила карточки GeForce — они... (1264)
- OpenAI и Google дают китайским компаниям... (1994)
- Второй эшелон тронулся: тайваньский... (1420)
- ИИ породил новый дефицит: в США перестало... (1367)
- Mitsubishi начнёт выпускать по 1000... (3206)
- Samsung готовит ИИ-ускоритель GAIA, который... (2074)
- SpaceX подала заявку на размещение в космосе... (2074)
- Netflix превращается в телевидение: сервис... (2077)
- AMD возобновила поставки древних процессоров... (1618)
- Цена ИИ-бума: Microsoft нарастила выбросы... (1709)
- Соавтор Dragon Age готов сделать «мрачную и... (1870)
- Доходы Steam вновь выросли и стали... (1817)
- На небе может появиться объект ярче Луны:... (1990)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...