- Amazon бросает вызов Nvidia: новый Trainium3... (322)
- Экс-глава Intel выбил $150 млн от США на... (285)
- В России отзывают 2577 кроссоверов Omoda C7... (403)
- Вызывающий привыкание роглайк Ball x Pit... (396)
- Клавиатура с экраном во всю подложку с... (325)
- OpenAI объявила код «Красный». Компания... (296)
- На Солнце вызревает аномальная активность —... (366)
- Samsung и SK hynix решили сделать всё, чтобы... (358)
- Соавтор Counter-Strike признался в любви к... (359)
- Не заметили: межзвёздная комета 3I/ATLAS... (400)
- Sony представила A7 V — свою первую... (484)
- Не пропустить штраф и запись ко врачу: в... (519)
- Apple резко снизила награды багхантерам —... (516)
- Разработчики Battlefield 6 почти полностью... (324)
- Mortal Kombat 1, Routine и Dome Keeper... (474)
- Google закрыла 107 дыр в Android — две... (605)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...