- Смартфоны Samsung первыми получат Gemini... (1181)
- В Windows нашёлся бэкдор для... (595)
- К выходу готовится игровой смартфон Infinix... (640)
- Best Buy проговорилась, когда стартуют... (383)
- Власти США одобрили продажу ускорителей... (877)
- Контрафакт захлестнул рынок серверных... (1087)
- В Китае разработали присадку для... (617)
- BYD рассказала о технологии, которая поможет... (624)
- ИИ-бум удесятерил стоимость SK hynix —... (590)
- «Билайн» запустил 5G для россиян, но не в... (875)
- Российский аналог Starlink начали испытывать... (596)
- Некогда чрезвычайно успешная GoPro ищет себе... (531)
- Copilot в Microsoft Edge научился... (386)
- Apple вступилась за Android: ЕС хочет... (339)
- Вместе с Трампом в Китае высадился десант... (806)
- Впервые детектор нейтрино запустили в... (543)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...