- В Microsoft Defender нашли давние... (586)
- Vivo X300 и X300 Pro представлены официально... (657)
- Началась важная неделя для Apple: ожидается... (672)
- 925 л.с., полный привод и сверхбыстрая... (599)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, топовая камера,... (470)
- Oppo Find X9 Pro работает дольше Xiaomi 17... (490)
- AMD FSR 4, улучшения графики и оптимизации:... (642)
- iPhone 18 Pro получит камеру с переменной... (598)
- 3000 циклов, до 1000 км на одном зарядке в... (553)
- Журналисты показали, как волшебное... (538)
- В отечественном мессенджере Max обновились... (732)
- «Инферит» представил российские 2U-серверы... (583)
- Быстро набрал обороты: российский бренд... (662)
- Tank 300 начнут выпускать в России — уже... (593)
- OpenAI растёт быстрее всех — но теперь никто... (558)
- SpaceX показала вживую носовую часть... (600)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...