- В России резко сократилось число вакансий в... (1354)
- Контрактные цены на DDR4 в этом квартале... (2842)
- AMD представит первые процессоры на Zen 6... (2643)
- Настольный ИИ-суперкомпьютер AMD Ryzen AI... (2561)
- В России перекрыли доступ к запрещённым... (3220)
- Оптимизация памяти, ускорение загрузок и... (1943)
- Ключевой руководитель OpenAI по разработке... (1637)
- Китай научился ловить ракеты тросами —... (1111)
- Китай впервые успешно испытал аналог ракеты... (2108)
- Олдскульная стратегия Tempest Rising в духе... (1558)
- Баги и уязвимости в Windows будет искать... (1435)
- Китайская MiniMax замахнулась на новый... (2025)
- New York Times обвинила OpenAI в сокрытии... (1895)
- Игроки Subnautica 2 тонут в 3829 раз чаще... (2018)
- «Играть попросту не хочется»: Assassin’s... (3055)
- Tencent готова выкупить у M**a ИИ-стартап... (2714)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...