- Представлен новый дизельный «Гелендваген»,... (35)
- Не монстр автономности, зато первый... (39)
- Топовая система камер Morpho, 32 ГБ ОЗУ,... (40)
- Владельцы Nissan Qashqai и Daewoo Nexia... (28)
- Представлен другой Kia K4 (Cerato) 2024 —... (26)
- Главный конкурент Land Cruiser 250 не... (4799)
- Объявлены цены на самый мощный Porsche... (29)
- Chery Tiggo 7 Pro Max получит 8-ступенчатый... (33)
- Илон Маск объявил о запуске Starlink в... (26)
- Самые популярные пикапы в России, доступные... (30)
- Китайцы с нетерпением ждут Huawei P70, он... (28)
- Российский Citroen C5 Aircross получит... (28)
- «Готовимся к четвёртому старту». Илон Маск... (31)
- 312 л.с., расход 5,15 л/100 км, просторный... (28)
- Россия перекрывает выгодный канал ввоза... (28)
- Из 60 китайских брендов в России останется... (29)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...