- Межпланетная станция «Гера» поддала газу и... (347)
- Samsung гигантским скачком вернула себе... (359)
- Яркость этого монитора выше, чем у экранов... (392)
- Вся первая десятка самых продаваемых... (307)
- AMD не постесняется выпустить в 2025 году... (384)
- Apple должна была уже начать брать деньги за... (314)
- MSI выпустила 1100-долларовую материнскую... (336)
- Иск с обвинениями Илона Маска в... (237)
- Если сплавить синтетический алмаз с нитридом... (364)
- NASA и «Роскосмос» так и не сошлись во... (331)
- Китайских хакеров обвинили в... (295)
- Colorful представила память iGame Shadow... (307)
- В Финляндии тепловой аккумулятор ёмкостью... (291)
- У Xiaomi снова получился суперфлагман?... (319)
- Совершенно новый дизайн, но старый добрый... (255)
- Можно купить эту плату, установить в ноутбук... (311)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...