- Anthropic заявила, что ИИ уже пишет более 90... (735)
- OpenAI предложила создать глобальный орган... (353)
- NASA раскрыло подробности грядущей лунной... (1560)
- Представлен настенный корпус Portal Advanced... (841)
- Windows 11 научится автоматически откатывать... (694)
- Uptime Institute: сбои в дата-центрах стали... (882)
- Intel продолжает терять рынок процессоров —... (351)
- Apple открыла iPhone для сторонних наушников... (873)
- Cisco уволит 4 тыс. сотрудников, взамен... (590)
- Жуткие робо-волки стали новым оружием против... (541)
- AMD EPYC захватили рекордные 46,2 % рынка... (518)
- Стартап учёного из NASA заявил о разработке... (589)
- Продажи Arc Raiders достигли 16 миллионов... (743)
- Anthropic Claude помог вернуть биткоины на... (936)
- Добро пожаловать в «вулнапокалипсис»: ИИ... (994)
- Российский ответ Fallout Shelter не заставит... (690)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...