- У Xiaomi с первого раза получилось: батарея... (362)
- Первую комету C/2026 A1 ждёт смертельное... (527)
- Заменитель Land Cruiser. Весной в России... (616)
- Недавно открытые аномалии в мантии Земли... (541)
- В Китае создали компактный твердотельный... (534)
- Nintendo выдала даты выхода трёх дополнений... (1179)
- Китай обязал автопроизводителей вернуть... (1252)
- Intel при поддержке SoftBank готова начать... (554)
- Визуальная новелла в жанре психологического... (1166)
- Китайский процессор Loongson 3B6000 оказался... (1084)
- После 30 лет службы Adobe закрывает... (1210)
- Конец эпохи: Samsung прекратила поддержку... (1133)
- Leitz Phone powered by Xiaomi: флагман... (803)
- За 11 месяцев прошлого года в США ввели в... (616)
- Компания Waymo впервые запустит сервис... (866)
- Switch стала самой популярной Nintendo в... (482)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...