- После дебюта в США акции SK hynix выросли в... (1771)
- Исследование LG подтвердило: чем дороже... (1027)
- Японская Rapidus выбрала самый простой путь... (1833)
- NASA открыло путь к замене МКС —... (1504)
- ИИ-модель GPT-5.6 стала «предпочтительной» в... (1335)
- Новая статья: Dark Scrolls — безостановочный... (2003)
- Microsoft, Google, Amazon и Oracle попали... (1317)
- [Обновлено] id Software продолжит делать... (1762)
- Assassin’s Creed Black Flag Resynced не... (1956)
- Профессор показал, насколько массовым стало... (2083)
- Долги бигтехов удвоились ради ИИ — инвесторы... (2590)
- Asus представила беспроводной геймпад ROG... (1924)
- Инвесторы поверили в ИИ от M**a: акции... (2000)
- Microsoft обеспечила уволенным сотрудникам... (1802)
- Lian Li представила корпусные вентиляторы... (1876)
- Китай внезапно заморозил экспорт гелия на... (1903)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...