- И готовые ПК тоже подорожают. Производители... (379)
- NASA рассматривает запасной вариант лунного... (486)
- Правительство США может вложить 150 млн... (264)
- Два шарнира, лазеры и роботы: Samsung... (400)
- Nvidia даёт беспилотникам «человеческий... (486)
- 6000 мАч, 33 Вт, IP64, 108 Мп — всего 200... (449)
- Новая ИИ-система Securus Technologies... (375)
- OnePlus показала «дырявый» чехол для OnePlus... (346)
- 10 тысяч модов и 350 миллионов загрузок:... (343)
- Популярная камера для видеографов стала ещё... (342)
- ИИ-браузеры оказались уязвимы для хакерских... (594)
- Стартап Moonshot Space привлёк 12 миллионов... (522)
- Apple отказывается выполнять требование... (309)
- Amazon бросает вызов Nvidia: новый Trainium3... (319)
- Экс-глава Intel выбил $150 млн от США на... (284)
- В России отзывают 2577 кроссоверов Omoda C7... (398)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...