- Корейские учёные создали гибрид оперативной... (4014)
- SK Hynix построит новый полупроводниковый... (3888)
- В 2023 году дата-центры Apple потребили... (3919)
- Эта Toyota не уступает «пятёрке» BMW и... (1868)
- Эта Toyota не уступает «пятерке» BMW и... (5578)
- Первый в мире ноутбук с памятью LPCAMM2 и... (4385)
- Ryzen 9000 — AMD определилась с названием... (3974)
- Первый в мире монстр автономности на... (4149)
- Первый в мире монстр автономности на... (4295)
- АвтоВАЗ создал гибридную Lada: автомобиль... (3986)
- Реклама в меню «Пуск» Windows 11 появилась у... (3904)
- В Японии назревает противостояние двух... (3772)
- Роботакси Tesla получит название... (3807)
- AMD: использование чиплетной архитектуры в... (3884)
- Представлен Mitsubishi ASX 2024, и он мало... (3807)
- «Китайскую Honda Gold Wing» представят... (2655)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...