- Маск подтвердил переговоры о слиянии SpaceX... (739)
- Европейцам снова дороже и с меньшим... (1504)
- «Лучше большинства фильмов по RE»: трагичная... (669)
- Очень большой, умный и со стилусом. Компания... (1252)
- Windows 10 и процессоры Intel неожиданно... (1490)
- Нет, цены на память и не думают... (807)
- За саундтрек можно не переживать: композитор... (743)
- Похож на старую консоль и для игр тоже... (1559)
- Samsung не собирается повышать стоимость... (728)
- Firefly без ограничений: Adobe сняла лимиты... (713)
- Флагманский Samsung 990 PRO со скоростью USB... (1070)
- Surface без Microsoft: M**a представила... (863)
- Цены на одноплатные ПК Raspberry Pi снова... (601)
- Энтузиаст перепаял память консоли Asus ROG... (838)
- 6-ступенчатый «автомат» Ford живет своей... (738)
- Видеокарты AMD Radeon снова подорожают. Их... (961)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...