- Защиту ИИ-моделей удалось обойти,... (2260)
- Бум ИИ сделал инженеров на производстве... (2645)
- На один из офисов M**a напала белка —... (2560)
- В Escape from Tarkov появились внутриигровой... (2576)
- Инженеры уложили HBM на бок — память стала... (7127)
- Кризис памяти добрался до Google: грядущие... (2353)
- Nintendo продолжит глобальные продажи первой... (2291)
- В Spotify встроят нейросеть Google Gemini,... (3148)
- Игра в стиле «Джона Уика», новая Perfect... (4178)
- Midea выпустила недорогой моющий... (1830)
- Volkswagen наняла сотню овец для борьбы с... (2315)
- Volkswagen наняла сотню овец для борьбу с... (3253)
- Поиск Google установил рекорд по числу... (3328)
- 3,84 Тбайт в формате М.2 2280 с PCIe 4.0:... (2558)
- Госдума поддержала уголовное наказание за... (1782)
- Xiaomi раскрыла внешность своего огромного... (2636)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...