- Представлен складной смартфон Samsung W26 —... (1011)
- Хакерская группировка объявила о взломе... (1054)
- Фотофлагман Xiaomi 17 Ultra с поддержкой... (1066)
- Чудовищный ИИ-ускоритель на самом... (1019)
- Чтобы смотреть на видеокарту, когда не... (969)
- Когда RTX 5090 явно не твоя судьба.... (988)
- AMD теперь в отстающих. Intel представила... (970)
- AMD снова покажет Intel, как нужно сохранять... (1088)
- В новой Call Of Duty: Black Ops 7 видеокарта... (1052)
- Домашние кинотеатры Bose SoundTouch... (1137)
- Если обещания Intel правдивы, процессоры... (1147)
- Intel представила свои полностью новые... (1123)
- MSI создала видеокарту GeForce RTX 5080... (1092)
- Edifier представил беспроводную колонку,... (1001)
- Климатическая повестка утонула в клубах... (889)
- Роскосмос показал видео с огневых испытаний... (952)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...