- В MIT создали систему, которая по голосовой... (809)
- NASA готовит серию тестов космического... (1568)
- Nvidia удалось пролоббировать свои интересы.... (825)
- Nvidia встала, место пропало. Китайская... (768)
- Dell поднимет цены на ПК и серверы на 15-20%... (767)
- iPhone 16 стал самым продаваемым смартфоном... (820)
- «Если бы у нас было больше пластин Arrow... (803)
- Самые дешёвые минивэны в России — это 10... (783)
- ИИ агитирует в 4 раза сильнее традиционной... (755)
- Ryzen 7 9850X3D — новый лидер на рынке... (758)
- Удивительно, но видеокарты в США и Европе... (798)
- Взять процессорный кулер, спилить концы у... (788)
- Дипфейки врачей в соцсетях убеждают лечиться... (950)
- Apple и Google уведомили пользователей о... (795)
- После иска к OpenAI газета New York Times... (790)
- OpenAI заявила, что появившиеся в ChatGPT... (977)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...