- CD Projekt Red спрятала в обновлении 2.5 для... (4870)
- Dell представила системы на NVIDIA Vera и... (4848)
- Китайская YMTC готовит серийное производство... (4645)
- Nvidia сама спровоцировала дефицит видеокарт... (4513)
- ИИ-компании испугались биржи: Anthropic... (3981)
- Micron перепрыгнет через поколение и... (4371)
- DeepSeek за два года устранит зависимость от... (4940)
- Аудитория Warhammer 40,000: Space Marine 2... (4881)
- Claude нашёл почти 500 дыр в популярном ПО —... (4685)
- Космический телескоп Roman впечатлил учёных... (4685)
- «Чёрный октябрь» для интернета: ИИ находит... (4403)
- В пять раз быстрее: основатель Unitree ждёт... (5225)
- Microsoft закрыла «Гараж» — площадку для... (4798)
- Казахстан расширит мощности ИИ ЦОД на чипах... (4742)
- «Неделю назад это была просто шутка из... (4785)
- Газ в пол: зонд NASA «Психея» максимально... (4190)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...