- Квартальная прибыль Samsung взлетела в 18... (4537)
- Как ожидается, квартальная прибыль Samsung... (4882)
- Новая статья: Компьютер месяца — июль 2026... (4882)
- Стартап Джима Келлера собрался поставить... (4350)
- Рог изобилия ИИ продолжает разгонять Foxconn... (3906)
- Бывший инженер Microsoft запустил двигатель... (3936)
- Sony разрабатывала геймпад DualShock со... (5475)
- Доля выпущенных в Китае электромобилей Tesla... (4924)
- Прежде чем стать безопасными соседями для... (4825)
- Отказ Sony от выпуска игр на дисках навсегда... (4698)
- Власти Индии потребовали от Telegram в... (4036)
- Новая статья: Deer & Boy — почти диснеевская... (5819)
- NVIDIA втихую сделала платформу Omniverse... (4024)
- Новая статья: Gamesblender № 783:... (4138)
- TSMC получила разрешение тайваньских властей... (3636)
- Вместо тысяч датчиков одна дешёвая камера —... (3373)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...