- В Китае показали обновленный Chery Tiggo 9:... (1003)
- Рассекречен кроссовер Omoda C5 нового... (863)
- Новая статья: Of Ash and Steel — мода на... (978)
- One UI 8.5 раскрыла дизайн Samsung Galaxy... (1050)
- Jolla Phone с Sailfish OS возвращаются.... (877)
- SpaceX может получить оценку $800 млрд:... (891)
- Культовый Lexus LFA возвращается:... (944)
- Карманный компьютер меньше смартфона,... (920)
- Культовый российский хоррор «Зайчик» получил... (931)
- Анонсирован триллер-головоломка Rivage,... (1049)
- Электронная книга в формате смартфона и с... (938)
- Монструозные процессоры AMD станут немного... (1001)
- Японцы придумали «полицейский радар для... (889)
- The New York Times обвинила ИИ-стартап... (976)
- Это системная плата или произведение... (952)
- Apple теряет топ-менеджеров, а таланты бегут... (861)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...