- На много лет раньше ожидаемого: SpaceX... (751)
- Маск и Альтман поддержали идею притормозить... (782)
- Anthropic уверена, что в этом квартале... (954)
- Трамп призвал не тормозить развитие ИИ —... (480)
- Трамп дал понять, что не намерен сильно... (766)
- Новая статья: Обзор игрового ноутбука Acer... (1573)
- Солнце поглотило сверхземлю: «химические... (1703)
- Глава Anthropic назвал Китай главным... (1745)
- Oracle пообещала 2 ГВт возобновляемой... (1806)
- Пульсар PSR J1637−4642 после почти 10 лет... (1695)
- DeepMind сделал «поисковый атлас» для всех 9... (1435)
- Минэнерго России предложило строить ИИ ЦОД в... (1402)
- Расширение Вселенной замедляется?... (1572)
- Квантовые операции сократили с тысяч циклов... (1269)
- Очередное обновление Windows 11 «ломает»... (1756)
- Apple разрабатывает игровые контроллеры для... (2025)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...