- Параллельный импорт машин в ноябре в России... (908)
- Для любителей кнопочных телефонов Nokia — от... (900)
- Альтернатива Audi Q7 от AUDI. Рассекречен... (683)
- ИИ накалил рынок памяти — счета на поставки... (725)
- Счета на поставку DRAM в октябре выросли на... (782)
- Рассекречен новый гибридный кроссовер Geely... (810)
- «Китайский УАЗ» превратился в «китайскую... (880)
- Гегемония SK hynix нарушена: впервые в... (671)
- Samsung впервые обошла SK hynix по... (798)
- Xiaomi прекращает поддержку двух бюджетных... (880)
- iPhone 21 может получит процессор,... (858)
- Мировой рынок чипов рвётся к $1 трлн — ИИ... (758)
- Глобальная выручка от реализации чипов в... (755)
- Limitless прекратила продажи носимого... (773)
- Рост числа пользователей ChatGPT стал... (849)
- MSI показала Prestige 13 — первый ультрабук... (725)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...