- Новая ГАЗ-24 «Волга» 1984 года с пробегом... (931)
- Крупный дилер «Рольф» начал продажи Audi E5... (749)
- Амбициозная тактическая ролевая игра ATOM... (775)
- 367 л.с., запас хода 1000 км, расход... (1154)
- Это уже криптозима? Биткойн рухнул более чем... (743)
- Hyundai продолжит изучать возможность... (699)
- 34 авиакомпании уже подключили Starlink — 21... (684)
- NASA завершило ключевые испытания прибора... (746)
- Беспилотные Tesla одобрили в... (912)
- Глава Nvidia заявил, что TSMC придётся... (1074)
- В марсианском кратер Езеро найден древний... (684)
- Так вот почему дорожает память? Grok Imagine... (1154)
- Роскосмос усиливает точность: на заводе... (1411)
- Лавовые трубки Венеры признали... (737)
- От крыши до розетки: Tesla завершила... (1240)
- Китай выходит на рынок суборбитального... (748)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...