- Новый золотой стандарт для жанра: критики... (4912)
- Маск привлёк $40 млрд для SpaceX на закупку... (5230)
- Петицию с призывом спасти Mass Effect... (5137)
- Новые MacBook Pro с OLED получат macOS 27 с... (4779)
- «Можно как-то ускорить наступление... (5863)
- Новая статья: Обзор realme 16 Pro Harry... (6703)
- Apple научилась заглядывать внутрь коробок... (6115)
- Для симулятора строительства фабрик Factorio... (4871)
- Лучше бы молчали: власти США считают, что... (4896)
- Беспроводная мышь-трансформер: Logitech... (5521)
- Пока геймеры ищут GeForce RTX 5090, китайцы... (5120)
- Грузинское облако Silk Cloud предложит... (5857)
- AMD готовит официальный драйвер для разгона... (5029)
- Новая статья: Order of the Sinking Star —... (5794)
- Дефицит флеш-памяти привёл к скачку... (5457)
- Блогер проверил iPhone Duo на прочность —... (4965)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...