- Xiaomi представила «убийцу формальдегида» —... (785)
- Глубокие наблюдения XMM-Newton выявили... (740)
- Китайский аналог BMW 7 серии и Audi A8... (1182)
- Китайский аналог BMW 7 серии и Audi A8... (829)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS теряет воду, как... (1451)
- На Солнце сформировался протуберанец... (812)
- 7500 мАч, 80 Вт, 200-мегапиксельная камера... (1216)
- OnePlus Ace 6 сертифицирован в Китае:... (748)
- То, что нужно к зиме. Xiaomi представила... (843)
- Финальная One UI 8 вышла для Samsung Galaxy... (756)
- 7200 мАч, 120 Вт, 200-мегапиксельная... (790)
- Арест за арестом: причиной возгорания в... (810)
- ИИ спас США от рецессии, став единственным... (948)
- Новая Xbox на бумаге выглядит намного мощнее... (731)
- Китайская компания Topfeel представила две... (1482)
- Вероятно, Snapdragon 8 Elite Gen 5 обходится... (743)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...