- Аккумуляторы до 7000 мАч, зарядка 45 Вт, без... (1656)
- Продажи российских серверов и СХД почти... (971)
- Оперативная память DDR5 и DDR4 подорожает... (1730)
- Не только Ryzen 9000X3D: платы ASRock начали... (1308)
- Платформа Apple M6 не перейдёт на самый... (1569)
- GeForce RTX 3060 больше не королева, а RTX... (1864)
- Oracle намерена взять в долг ещё $50 млрд на... (1169)
- Новый Jetour T2 вышел на рынок... (1979)
- Samsung делает ставку на Galaxy S26 Ultra:... (1574)
- GeForce RTX 5090 год на рынке, за это время... (1632)
- Самая мощная европейская ракета Ariane 6... (1728)
- Самая мощная европейская ракета Ariane 6... (1640)
- В Узбекистане стартуют официальные продажи... (1116)
- ФСБ запрещает вносить в «белые списки»... (1504)
- xAI нанимает известных писателей для... (772)
- Художественное топтание снега... (1602)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...