- Приложением «Госуслуги Моя школа» пользуются... (459)
- Представлен смартфон OnePlus Ace 6T с... (560)
- В «Яндекс Музыке» подвели музыкальные итоги... (533)
- TikTok вложит более $37 млрд в постройку... (550)
- Запуск российско-китайского мессенджера... (501)
- Apple, как это понимать? iPhone 17 Pro и 17... (529)
- Евросоюз запустил антимонопольное... (462)
- Евросоюз запустил антимонопольное... (504)
- Можно установить DDR5, а можно и DDR4,... (750)
- 27-летнюю 3dfx Voodoo2 запустили вместе с... (649)
- ИИ поместили в виртуальную клетку и убрали... (493)
- «Никто не хотел его покупать, кроме Илона».... (448)
- ИИ-компании заплатят «Википедии», чтобы она... (687)
- Примерно уровень мобильной GeForce GTX 1050... (473)
- iPhone 17e будет в несколько раз менее... (478)
- В Rutube утроилось количество просмотров за... (746)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...