- M**a готовит пятитонные ИИ-стойки с чипами... (844)
- xAI теряет популярность, но Илон Маск ещё... (1125)
- Скандал с контрабандными ИИ-серверами... (1006)
- «Дух захватывает»: художник заворожил... (1383)
- TSMC готова вложить $250 млрд в производство... (926)
- TSMC готова потратить на технопарк в Аризоне... (1017)
- Разработчики Forza Horizon 6 «наградили»... (1072)
- Microsoft недосчитается десятков миллиардов... (1007)
- Microsoft не сможет выручить на... (1092)
- Бывший главный исследователь Илья Суцкевер... (1255)
- Microsoft рассчитывала превратить $13 млрд в... (776)
- Microsoft рассчитывала заработать $92 млрд... (1005)
- Google случайно показала грядущий ИИ Omni,... (818)
- Google может представить на I/O 2026 новую... (1126)
- Даже лучшие ИИ «сыпятся» на длинных задачах:... (1206)
- Исследователи Microsoft предупредили, что... (934)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...