- Бум ИИ помог китайской CXMT более чем... (234)
- «Газель NN» и «Соболь NN» стали еще удобнее:... (315)
- В «Сферуме» в Max появились сервисы... (361)
- Samsung запустила One UI 8.5 для Galaxy S24,... (240)
- Телевизоры Sony и Bravia получат китайские... (382)
- Он гораздо меньше: Tesla Cybercab сравнили с... (421)
- Мультиплеерный социальный детектив 4 Penny... (381)
- Более 80 ИИ-функций, интеграция с Яндексом,... (359)
- ИИ поможет обнаруживать ошибки в коде... (391)
- Игровой ноутбук Razer Blade 16 2026 получил... (246)
- Скорость до 14,2 ГБ/с с низкой задержкой... (209)
- МТС Exolve представила сервис для... (172)
- Представлена профессиональная камера... (197)
- Цифровые версии эксклюзивов Nintendo Switch... (294)
- Т2 отменил международный роуминг для... (364)
- Xiaomi 18 Ultra получит новейшую камеру с... (456)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...