- ИИ-бум обогатил лишь семерых: остальные 493... (4424)
- Вредоносный ИИ-агент Skynet захватывает... (5263)
- Samsung прокачала 8-нм техпроцесс — 8LPU+... (4614)
- OpenAI заявила о научных прорывах: ИИ... (4714)
- ИИ оставил без печатных плат даже... (4576)
- ИИ оставил без печатных плат даже... (4756)
- 6 из 10 человекоподобных роботов работают на... (4412)
- Nvidia захватила 61 % рынка ИИ-чипов для... (4303)
- Вдохновлённый Diablo и Stardew Valley... (4635)
- Huawei представила маршрутизаторы Router X2... (4475)
- ИИ-пузырь в Китае лопнул? Акции... (4680)
- Слухи: ремейк легендарного хоррора Silent... (4484)
- OpenAI представила GPT-6.1 Terra — быструю... (4968)
- Apple признала проблему трескающегося экрана... (5030)
- Кризис памяти ударил по производителю... (4825)
- RTX 5090 станут ещё большей редкостью:... (4750)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...