- Новый трейлер подтвердил дату выхода The... (697)
- Календарь релизов 14–20 сентября: Marvel’s... (738)
- Microsoft намерена получить 38 ГВт мощностей... (1157)
- SpaceX/xAI заполучила загадочного заказчика,... (859)
- T2 убрал границы: абоненты из разных... (801)
- А смысл? «Яндекс Книги» подключили ИИ для... (875)
- Энтузиаст разработал первый в мире... (860)
- На Wildberries теперь можно торговаться: на... (913)
- 1400 км на одной зарядке: Volkswagen... (846)
- Ракеты SpaceX Falcon совершили 700-й полёт... (841)
- Microsoft признала, что свежее обновление... (1393)
- Nvidia выпустила профессиональную видеокарту... (958)
- «Искусственное Солнце» получит новый модуль... (852)
- Все EUV-сканеры ASML расписаны до конца 2027... (1033)
- В России упал SkyNet: тысячи пользователей... (800)
- Планета размером с Россию: температура на... (822)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...