- ИИ Google заменяет заголовки новостей на... (869)
- Вслед за Belgee в Россию приедут новые... (393)
- Заказал GeForce RTX 5080, а получил коробку... (422)
- Land Cruiser Prado официально защищён в... (498)
- Неубиваемый смартфон с гигантской батареей... (573)
- Toyota, которая больше, мощнее и... (466)
- Слухи: разработчики Deus Ex провели новую... (393)
- ИИ-столбы: британский стартап Conflow Power... (434)
- «Искусственное солнце» Китая выходит на... (602)
- На бывшем заводе Volkswagen будут выпускать... (722)
- Google внедрит ИИ-уведомления и у других... (486)
- Россияне активно пересаживаются на китайские... (498)
- Представлена раскладушка Nubia Flip3 с... (485)
- Дефицит HDD и жадность производителей... (1176)
- Зима начинается с плазменного удара по Земле... (423)
- Roblox перестала работать в России после... (636)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...