- Видео: человекоподобные роботы Figure... (1114)
- «Пассворк» стал первым в России менеджером... (827)
- OpenAI запустила Daybreak — ответ на... (929)
- В Linux предложили встроить экстренный... (1042)
- Lies of P 2 вошла в стадию активной... (972)
- Общие продажи игр серии Silent Hill... (1088)
- «Базис» представил конструктор платформенных... (1040)
- Unitree показала 500-килограммового... (828)
- «У магазина поверните направо»: «Яндекс... (1007)
- Предложен протокол IPv8 — с обратной... (831)
- Canon закрыла очередной завод по... (1208)
- Starlink отключит собственный «аналог GPS»,... (661)
- Thinking Machines готовит «полнодуплексный»... (769)
- Профсоюз Samsung назвал условие отмены... (997)
- Samsung может поставить китайские дисплеи в... (1035)
- OpenAI создала дочернюю компанию, которая... (929)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...