- В Японии появилась первая «скорая помощь»... (811)
- Там, где раньше выпускали Volkswagen и... (748)
- Постапокалиптическая стратегия The Crab is... (793)
- Главная проблема российских чипов: 84%... (822)
- Speedtest.ru рассказал, где в России самый... (995)
- Microsoft установила ограничения для будущих... (1259)
- «Спровоцировали хаос»: создатели ИИ дружно... (752)
- ИИ разогнал акции Kioxia на 400 % — теперь... (852)
- На этот раз 16-контактный разъем питания... (794)
- Anthropic идёт на Nasdaq с оценкой $2 трлн в... (774)
- NASA и IBM создали самую полную ИИ-карту... (791)
- Дубайская фирма с инвесткомандой из четырёх... (767)
- Торговая марка рассекретила название сиквела... (732)
- Илон Маск помирился с Apple — но X Corp и... (739)
- Honor приоткрыла характеристики флагманов... (785)
- Microsoft поставила человека выше ИИ — она... (1492)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...