- «Ростелеком» сообщил о взрывном росте... (199)
- Бюджеты вышли из-под контроля: журналист... (284)
- К MacBook Neo приделали жидкостный кулер —... (202)
- «Telegram умирает, а Max растет быстрыми... (380)
- Panasonic уже распродала аккумуляторы,... (290)
- Энтузиаст совершил виртуальную посадку на... (907)
- HP встроила в ноутбуки локальную ИИ-модель... (211)
- Создан самый подробный молекулярный атлас... (188)
- AMD представила процессор Ryzen 9 9950X3D2... (334)
- Глобальные поставки OLED-мониторов... (187)
- Учёные определили пределы серийного... (176)
- Одно из крупнейших сооружений в мире.... (200)
- Q-Day близко: Google предупреждает о взломе... (323)
- «Чертовски крутой» шутер новой студии... (449)
- Caviar представила роскошные iPhone 17 в... (209)
- Пока без китайцев: Sony представила... (242)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...