- Apple представила обновлённый iMac на чипе... (4620)
- Разработчики Kingdom Come: Deliverance и RPG... (4203)
- «Атмосфера присутствует, но на этом всё»:... (4520)
- Новейшая ИИ-модель DeepSeek стала... (4695)
- M**a собралась привлечь $95 млрд на развитие... (4656)
- iPhone 18 Pro и Pro Max оказались чуть-чуть... (4598)
- Apple выпустила iOS 27.2 для всех... (4902)
- Американский стартап пообещал заменитель... (4437)
- Будущие процессоры смогут получить больше... (4453)
- Samsung оштрафовали на $15 млн за обман... (4495)
- Композитор Journey Остин Уинтори выложил 20... (4421)
- ИИ-модель Alibaba Qwen уличили в попытке... (4662)
- Представлена наиболее точная модель ранней... (4628)
- Apple iTunes неожиданно ожил: Тейлор Свифт и... (4627)
- ИИ-бум обогатил лишь семерых: остальные 493... (4397)
- Вредоносный ИИ-агент Skynet захватывает... (5228)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...