- 16-минутная демонстрация операционной... (791)
- Как у Маска: в Threads внедрят ИИ-бота,... (871)
- Утечка раскрыла дату выхода Elden Ring:... (839)
- Обновление Dell SupportAssist вызвало... (868)
- TikTok бросила вызов Booking: теперь можно... (748)
- Garmin представила «простые в использовании»... (939)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой Forza... (2454)
- FSP показала 2000-ваттный блок питания —... (735)
- Машины научили «жаловаться» на ямы на... (877)
- Слухи: Subnautica 2 «утекла» в руки пиратов... (867)
- BitLocker взломали за 5 минут — даже на... (1052)
- Баг в обновлении добавил в Google Chrome 148... (1006)
- Samsung выпустила бету One UI 9 на... (804)
- ИИ сломал правила кибербезопасности —... (1065)
- Дата-центры всё чаще строят вне городов —... (942)
- Бывший продюсер Electronic Arts объяснил,... (812)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...