- ByteDance выпустила голосового ИИ-помощника... (471)
- Apple нашла виноватого в провалах в ИИ —... (408)
- На фоне провала Siri руководитель отдела ИИ... (691)
- Руководитель отдела ИИ Apple Джон... (587)
- Ничего святого: Microsoft представила новый... (518)
- Lada Niva Travel 2025 с новым мотором... (687)
- Ушла эпоха. Оригинальный iPhone SE больше не... (432)
- Миллионы IOPS, без посредников: NVIDIA SCADA... (408)
- Клон Geely Tugella под новым названием,... (508)
- На порядок точнее GPS: японская... (457)
- Новая «космическая фабрика» Varda Space... (501)
- «Конец эпохи пиратства»: легендарная хакер... (618)
- AWS и Google Cloud подружили свои облачные... (400)
- АвтоВАЗ и ГАЗ не спешат, а УАЗ первым в... (496)
- Audi снова в российском реестре: немецкий... (499)
- Итоги ноябрьских распродаж: россияне... (666)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...