- Астрономы обнаружили самый лёгкий «тёмный»... (1155)
- Учёные MIT удвоили точность оптических... (874)
- Легендарный «сарай» Volvo V90 — всё: Volvo... (768)
- США и Китай пошли к технологическому... (737)
- Xiaomi представила «убийцу формальдегида» —... (714)
- Глубокие наблюдения XMM-Newton выявили... (682)
- Китайский аналог BMW 7 серии и Audi A8... (1092)
- Китайский аналог BMW 7 серии и Audi A8... (762)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS теряет воду, как... (1389)
- На Солнце сформировался протуберанец... (748)
- 7500 мАч, 80 Вт, 200-мегапиксельная камера... (1159)
- OnePlus Ace 6 сертифицирован в Китае:... (690)
- То, что нужно к зиме. Xiaomi представила... (790)
- Финальная One UI 8 вышла для Samsung Galaxy... (671)
- 7200 мАч, 120 Вт, 200-мегапиксельная... (731)
- Арест за арестом: причиной возгорания в... (739)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...