- Tenet T4 (отечественный Chery Tiggo 4),... (661)
- Nothing готовится к IPO через три года и... (472)
- Глава Nvidia хочет вернуть H200 в Китай — но... (518)
- Глава Nvidia прилагает усилия к организации... (675)
- Cream Guitars представила гитару, цвет... (491)
- Такая корова нужна самому: Intel передумала... (390)
- Самый мощный и эффективный ракетный... (1792)
- На Земле началась магнитная буря G2:... (429)
- Аналог Toyota Alphard с 2,0-литровым мотором... (493)
- «Грокипедия» стала редактируемой — и начался... (409)
- Цены на смартфоны взлетят уже в начале 2026... (462)
- Новая статья: ИИтоги ноября 2025 г.: почти... (567)
- Первая жертва катастрофы на рынке памяти.... (663)
- У лимитированной и очень дорогой Asus ROG... (442)
- Моддер создал самую маленькую PlayStation 1... (545)
- Вышел первый обзор ПК на двухчиповых... (409)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...