- Nioh 3 впервые в серии выйдет за пределами... (666)
- Microsoft вернула на экран блокировки... (989)
- Редкие в прошлом экстренные патчи Microsoft... (748)
- Брутальный Tank 700 пережил цифровую... (1139)
- Microsoft наконец-то отключит в Windows 11... (1367)
- Индийцы распробовали премиальные смартфоны.... (1164)
- Энтузиаст создал «разговорный ИИ» Z80-uLM,... (918)
- Энтузиаст создал «разговорный ИИ» Z80-?LM,... (1853)
- Это тонкая и компактная сплит-клавиатура на... (1666)
- Наконец-то у Intel будет по-настоящему... (1136)
- 190 000 рублей за ноутбук с 16-ядерным Ryzen... (1272)
- Будущее в стиле Omoda C7: России показали,... (1276)
- «В данный момент Apple работает на... (908)
- Календарь релизов — 2–8 февраля: Nioh 3,... (1107)
- Samsung объявила, что её новейшие... (758)
- Бюджетный смартфон Samsung с гарантией 6 лет... (1020)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...