- Gartner: ИИ и ИИ-компании всё ещё не созрели... (753)
- «GTA VI на фоне этого выглядит просто... (721)
- GeForce RTX 5090 просто исчезают из продажи,... (696)
- iOS 27 стала доступна на всех совместимых... (728)
- Тесты только что вышедшего процессора Ryzen... (711)
- Valve оценила VR-гарнитуру Steam Frame от... (623)
- Это первый в мире 44-дюймовый монитор 24:9.... (654)
- Мини-ПК, но до 192 ГБ ОЗУ. Aoostar дразнит... (717)
- Предзаказать ноутбук на Android нового... (678)
- 7 см на пиксель с расстояния 27 км:... (766)
- Гарнитура Steam Frame оценена в 1060... (670)
- MSI представила первую материнскую плату на... (661)
- Samsung Display представила передовой... (659)
- В Сеть попали фотографии сотен GeForce RTX... (708)
- Секретное оружие уже вращается вокруг Земли:... (812)
- В Японии появилась первая «скорая помощь»... (801)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...