- ИИ спас США от рецессии, став единственным... (882)
- Новая Xbox на бумаге выглядит намного мощнее... (669)
- Китайская компания Topfeel представила две... (1388)
- Вероятно, Snapdragon 8 Elite Gen 5 обходится... (692)
- Марсианские пылевые вихри движутся быстрее,... (501)
- Какая видеокарта нужна для игры в... (831)
- Пожар уничтожил 858 ТБ данных и парализовал... (731)
- Пользователи ChatGPT снова могут удалять... (772)
- Microsoft получила доступ к 100 000 Nvidia... (689)
- AMD представила Solarflare X4 — новые... (876)
- Athena1 от SiPearl — самый защищённый... (837)
- Классификация Урана и Нептуна как «ледяных... (852)
- Ferrari представила платформу Elettrica с... (729)
- Арт-директор Halo покинул студию после 17... (755)
- Dimensity 9500, 7500 мА•ч,... (901)
- Самый большой летающий объект в истории... (725)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...