- Поддержка ИИ-моделью DeepSeek V4 ускорителей... (331)
- Тестовый полёт космического корабля SpaceX... (339)
- Восстание стиральных машин: программное... (323)
- Новая статья: Life is Strange: Reunion —... (750)
- Создан первый логический квантовый процессор... (820)
- Учёные предложили новую теорию квантовой... (725)
- «Джеймс Уэбб» обнаружил карликовые галактики... (721)
- Астрономы обнаружили редчайшую тройную... (540)
- Масштабное моделирование раскрывает причины... (524)
- Найден способ масштабировать запутанные... (826)
- Креативный директор Naughty Dog заинтриговал... (895)
- Учёные разработали метод точечного... (669)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS оказалась... (541)
- Самолёт без рулей X-65 от дочки Boeing стал... (638)
- На память теперь уходит до 30 % расходов при... (667)
- Комедийная ретрофутуристическая игра... (486)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...