- Двухлетние Samsung Galaxy S24 получили... (871)
- Speedtest раскрыл, где лучший интернет в... (1631)
- «Мегафон» запустил 5G на российских базовых... (867)
- В России синтезировали молекулу для терапии... (885)
- Ядер, как у GeForce RTX 5090, а памяти в 2,5... (1228)
- Игроков заинтриговал геймплейный трейлер... (909)
- Человекоподобный робот, который умеет... (924)
- Он сам меняет положение тела, отслеживая сон... (753)
- Сотни тысяч петербуржцев остались без... (783)
- Китай тоже боится неконтролируемого ИИ —... (751)
- Xiaomi вывела монитор Redmi A27U Type-C 2027... (806)
- Xiaomi вывела монитор Redmi A27U Type-C 2027... (687)
- Honor Magic9 Super Edition получит батарею... (812)
- Гигантская батарея 10 000 мАч от CATL, IP69... (844)
- Huawei рискнула — и попала в самое яблочко.... (873)
- Три датчика по 200 Мп, камера Lumo,... (742)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...