- Смартфоны Samsung начнут блокировать... (1937)
- Фанатов заинтриговал мод, который переносит... (1396)
- TikTok позволит полностью отключить рекламу... (1107)
- Intel и Nvidia скоро выпустят первые... (1011)
- Смартфон Трампа может вообще не выйти —... (1260)
- Ключевые характеристики геймерского... (1750)
- «Никогда и ни за что»: Red Hook Studios не... (1372)
- Palit выпустила GeForce RTX 5080 Infinity 3... (1264)
- Broadcom представила решения 10G PON и Wi-Fi... (1655)
- PowerColor выпустила тонкую профессиональную... (1611)
- ИИ упростил создание рекламы для малого... (1155)
- Игроки нашли новое доказательство... (1196)
- Глава Take-Two объяснил, почему даже спустя... (1913)
- SK hynix может привлечь Intel вместо TSMC к... (1347)
- WhatsApp запустил платную подписку Plus на... (3399)
- Китайские производители чипов могут... (1287)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...