- Стартовало голосование за «Игру года» на... (4563)
- Календарь релизов 26 октября – 1 ноября:... (4132)
- Dark Messiah of Might and Magic получит... (4631)
- Windows 11 уместилась на CD-диске —... (4601)
- Anthropic подала публичную заявку на IPO и... (5265)
- Samsung тоже не хватает оперативной памяти —... (4671)
- Энтузиасты показали трейлер русской озвучки... (5090)
- 20 000 фильмов за секунду: Китай разогнал... (4952)
- В Москве построят ЦОД с собственной газовой... (4351)
- Apple представила iPad mini с увеличенным... (4554)
- Продажи Active Matter достигли 500 тыс.... (5095)
- «Яндекс» сообщил, что его суперкомпьютеры не... (4656)
- Samsung подшутила над «трещащим по... (4599)
- Samsung подшутила над «трещащим по... (4467)
- Помощь с орбиты: SpaceX испытала доставку... (4757)
- И компьютер не нужен: взломанную PS5 научили... (4617)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...