- Авторитетный инсайдер прояснил, когда выйдет... (2964)
- Китайская DeepSeek тайно разрабатывает... (2971)
- Китайская DeepSeek занимается разработкой... (2847)
- SpaceX запустила первый в мире коммерческий... (2220)
- Китай собирается строить ИИ-занавес: власти... (3115)
- Власти Китая готовятся ограничить доступ... (3348)
- Новая статья: Сравнительный тест камер... (5379)
- Продажи No Rest for the Wicked в раннем... (4781)
- Анонсированы умные очки Solos AirGo A6 — без... (17530)
- Аналитики: ещё до релиза Assassin’s Creed... (3248)
- Больше никаких Burnout и Need for Speed:... (4856)
- Apple захватила 90 % рынка смарт-часов с ИИ,... (3690)
- «Джеймс Уэбб» показал самый подробный снимок... (3058)
- Marshall представила беспроводные колонки... (4786)
- Steam Machine сможет полноценно работать с... (3545)
- Поиск Google поможет сайтам и блогерам лучше... (3094)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...