- C таким аккумулятором пускают в самолёты, он... (432)
- «Самое большое обновление в истории серии».... (426)
- Выручка полупроводникового сектора во втором... (398)
- Honor с новым Snapdragon, который разогнался... (470)
- 7 лет обновлений, 4900 мАч, IP68 и... (480)
- iPhone Duo за $2000 получил странный... (444)
- Почему каждая вспышка на Солнце уникальна:... (423)
- США заявили, что у них есть орбитальное... (457)
- Вспышки на Солнце ускоряют «старение»... (425)
- Россияне увидят уникальный метеорный поток... (260)
- Россияне увидят звездный «дождь»: Ориониды... (399)
- «М.Видео» начала продавать товары через ПВЗ... (421)
- Маск решил не воевать с Apple из-за ChatGPT:... (413)
- Российский 5G обойдётся операторам в сотни... (424)
- Трамп позвонил Хуангу и заверил, что роботы... (269)
- Дональд Трамп заверил американцев, что... (593)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...