- Корабль Orion миссии Artemis II преодолел... (347)
- Специалисты iFixit разобрали наушники Apple... (524)
- Цена лицензий на кодеки H.264/AVC для... (299)
- Wi-Fi отдыхает: ученые создали систему... (516)
- «Я запёк свою видеокарту». Пользователь... (340)
- 18-ядерный Intel Core Ultra 5 250KF Plus... (524)
- Последние часы кометы C/2026 A1, летящей на... (400)
- Беспроводная оптическая связь внутри... (367)
- В Японии создали адаптер Wi-Fi, способный... (506)
- Спутниковое телевидение после аварии вернули... (492)
- Samsung Galaxy S26 FE засветился в тестах с... (466)
- Дуров пообещал усложнить обнаружение и... (369)
- Суд обязал Netflix вернуть деньги за... (574)
- Anthropic ввела дополнительную плату за... (355)
- На Perplexity подали в суд за тайную... (366)
- Техподдержка NASA удалённо починила... (556)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...