- QR-код вместо карточки: на «Госуслугах»... (604)
- Российская ИИ-система Delta Sprut XL... (434)
- Глава разработки «Смуты» ушёл в отставку — у... (620)
- Возвращение легенды: Mercedes-Benz... (566)
- К актёрскому составу «Зверополиса 2»... (370)
- Редчайший UAZ Marathon европейской сборки... (441)
- «Триколор» строит первый в России телепорт... (698)
- Большая батарея и 120 Гц за минимальные... (455)
- Какой планшет не страшно давать детям?... (655)
- Пользователь Neuralink расширил... (452)
- Honda Civic 2025 с гарантией 3 года или 100... (434)
- Огромный трансформируемый корпус, куда... (681)
- Четыре RJ45, память с ECC и возможность... (378)
- В России бездомных собак использовали для... (488)
- Microsoft попыталась улучшить тёмную тему в... (370)
- В России бездомных собак использовали для... (561)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...