- Поиск Google поможет сайтам и блогерам лучше... (3114)
- Huawei впервые бросит вызов Nvidia за... (3575)
- Успех Kingdom Come: Deliverance 2 не помог... (3292)
- Российские власти не будут вводить плату за... (3773)
- Создатели Hitman и 007 First Light закроют... (3445)
- State of Decay 3 сможет обойти стороной Game... (3502)
- Microsoft выделила $2,5 миллиарда, чтобы... (3185)
- Google разрешила себе обучать ИИ на файлах... (3701)
- Роботакси Waymo породили хаос на улицах... (3150)
- Энтузиаст построил видеокарту из 8192... (3604)
- Бум ИИ обойдётся в $11 трлн — без гигантских... (3954)
- M**a грозят штрафы на $1,5 трлн по делам о... (3376)
- Google подготовила радикальный дизайн... (4096)
- Суд отверг попытку Илона Маска избежать... (3676)
- Windows 11 начала «съедать» до 500 Гбайт на... (3729)
- «Спрашиваю для друга»: сооснователь Arkane... (3623)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...