- Geely Monjaro для экономных: в Китае... (1740)
- Молодёжь не может без смартфона и часа? Даже... (1481)
- АвтоВАЗ объяснил, почему Lada Niva Legend... (1305)
- Яндекс запустил интерактивную... (1134)
- Россияне активно пересаживаются на Mazda... (969)
- Большинство Android-приложений с ИИ имеют... (1629)
- Товарные Lada Vesta Sport 2026 начнут... (1577)
- В России представлен новый переднеприводный... (1055)
- Теперь заказывать себе MacBook будет проще и... (947)
- HyperOS 3 выходит на финишную прямую: Xiaomi... (834)
- Метеозависимые приготовились: Солнце выдало... (1028)
- 7600 мАч, 7,9 мм, Snapdragon 8 Gen 5 и цена... (692)
- 6500 мАч, без AMOLED, защита от влаги и... (1458)
- «Телевик» с датчиком Sony и профессиональной... (962)
- Lada Azimut уже на дорогах... (871)
- Новый HyperIsland, динамические обои,... (1465)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...