- В Windows 11 нашли секретный переключатель... (5276)
- Дыры в PHP начали использоваться в реальных... (4785)
- M**a хочет привлечь рекордные до $95 млрд на... (4801)
- Шантаж, взломы и угроза человечеству:... (4697)
- Надёжный инсайдер рассекретил, когда выйдут... (4865)
- Philips представила первый в мире... (3786)
- Обломки телескопа Swift со дня на день... (5100)
- I*******m замахнулся на YouTube: соцсеть... (5032)
- Стартовало голосование за «Игру года» на... (4658)
- Календарь релизов 26 октября – 1 ноября:... (4249)
- Dark Messiah of Might and Magic получит... (4719)
- Windows 11 уместилась на CD-диске —... (4697)
- Anthropic подала публичную заявку на IPO и... (5427)
- Samsung тоже не хватает оперативной памяти —... (4805)
- Энтузиасты показали трейлер русской озвучки... (5186)
- 20 000 фильмов за секунду: Китай разогнал... (5062)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...