- На iPhone появилось сквозное шифрования для... (1050)
- В iOS 26.5 появилось сквозное шифрования для... (1124)
- Новая статья: Обзор игрового QD-OLED... (1110)
- Новая статья: Обзор сервера ASUS... (1730)
- M**a пришлось продлить срок службы серверов... (1712)
- AST SpaceMobile разогнала спутниковый... (1601)
- Календарь релизов 11–17 мая: Subnautica 2,... (2478)
- Google впервые обнаружила и заблокировала... (1551)
- AMD разрабатывает настольную Radeon RX 9050... (1523)
- Samsung выпустила One UI 8.5 для... (1361)
- На ПК стартовали предзаказы Subnautica 2 —... (1431)
- Спутник LINK прошёл испытания и приблизил... (1351)
- DJI показала мощные роботы-пылесосы Romo 2 —... (1239)
- Издателем Stellar Blade 2 выступит не Sony,... (2230)
- Следующая Vision Pro выйдет не раньше 2028... (1127)
- Первая частная индийская ракета отправится в... (1424)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...