- Производство чипов в наши дни требует... (1157)
- Ключ на старт. Последний Starship в этом... (1219)
- В России испытали на долговечность... (783)
- В России испытали на долговечность... (1219)
- Google запустила Nano Banana в AI Mode и... (784)
- Apple завершила поддержку своего бесплатного... (838)
- Xiaomi выпустила эргономичную беспроводную... (766)
- Xiaomi выпустила эргономичную беспроводную... (776)
- Современный автомобиль с запасом хода 2000... (1000)
- Обострение между США и Китаем грозит... (767)
- Новые китайские санкции повлекут серьёзные... (1601)
- Революция стиля и технологий в компактном... (812)
- «Китайский Aurus Komendant» вышел в продажу.... (845)
- Мир гейминга ещё не видел ничего подобного:... (956)
- «Самый мощный Neo в истории». iQOO Neo11... (801)
- 12 450 мАч, экран 3К 165 Гц, Snapdragon 8... (879)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...