- Российские Kia и Hyundai (Solaris) быстро... (411)
- iPhone 17 теряет антибликовую способность,... (666)
- Крысы распробовали быстрый интернет: жители... (596)
- Российский ИИ будет разруливать пробки на... (581)
- Ubisoft подтвердила, что многострадальный... (417)
- Россиянам не нужны «Москвичи»? Продажи... (360)
- Робот-каратист T800 получил 29 степеней... (478)
- 16 500 км за 3,5 часа и 15 минут на... (486)
- С белорусскими кроссоверами Zubr всё не так... (472)
- АвтоВАЗ ответил на важный вопрос о бензине и... (904)
- Власти Индии передумали принуждать... (363)
- Индийские власти отказались от требований... (485)
- Появились цены на полноприводный Tenet T4... (723)
- Появились цена на полноприводный Tenet T4... (594)
- Tenet T4 (отечественный Chery Tiggo 4),... (677)
- Nothing готовится к IPO через три года и... (498)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...