- Последние шесть Atlas V с российскими... (2359)
- Google назначила презентацию новых Pixel на... (2942)
- Судья запретила Пентагону связывать Alibaba... (3497)
- Суд запретила Пентагону связывать Alibaba с... (2986)
- Owlcat починила Warhammer 40,000: Rogue... (4021)
- Anthropic выпустила Claude Cowork за пределы... (2349)
- Microsoft начала больше использовать свои... (2195)
- M**a представила Muse Image — свою первую... (3276)
- У бюджетных смартфонов характеристики станут... (2667)
- Авторитетный инсайдер прояснил, когда выйдет... (2869)
- Китайская DeepSeek тайно разрабатывает... (2872)
- Китайская DeepSeek занимается разработкой... (2756)
- SpaceX запустила первый в мире коммерческий... (2143)
- Китай собирается строить ИИ-занавес: власти... (3037)
- Власти Китая готовятся ограничить доступ... (3259)
- Новая статья: Сравнительный тест камер... (5269)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...