- Seagate сильно отстала от Western Digital по... (1020)
- «Его возможности удивят всех», — Илон Маск... (788)
- «10 минут до зарядки в городе и 20 минут на... (1464)
- Оперативная память станет дороже золота?... (1085)
- В Китае повысили налоги на интернет и... (1074)
- Тонкий корпус, батарея на 7000 мАч, IP65 и... (723)
- Тонкий корпус, батарея на 7000 мАч, IP65 и... (1078)
- «Ски-тест» для мобильных: названы операторы... (1434)
- В России начали принимать заказы на новый... (1701)
- «1 000 000 км легко». Новые батареи CATL... (1243)
- Седан с запасом хода более 2000 км получил... (1162)
- Представлен лёгкий магниевый электропривод... (1111)
- 10 млн долларов за 30-секундную рекламу.... (1710)
- Представлена «дышащая» твердотельная... (1610)
- Этот полноценный настольный ПК поместится... (979)
- Глава HBO дал понять, что третий сезон... (1512)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...