- «Ядерный реактор Билла Гейтса» прошёл... (709)
- Пожизненная гарантия для россиян и полный... (747)
- Событие, которое случается раз в 20... (939)
- Впервые в России: «Магнит» тестирует... (1035)
- 70mai выпустила в России умный... (716)
- Как в кино: первый в мире ИИ-министр попался... (691)
- Провальный iPhone Air в России подешевел уже... (617)
- АвтоВАЗ обновил комплектации Lada Vesta и... (776)
- «Яндекс Браузер» стал на 36% экономичнее... (764)
- Возвращение Volga, на подходе сразу три... (799)
- С дверьми КамАЗа K5 на самом деле всё в... (872)
- Пользователи не спешат отказываться от... (848)
- Лайнеры на аккумуляторах начнут бороздить... (700)
- Представлен мощнейший робот-пылесос Dyson... (642)
- Li Auto представила умные очки Livis за $280... (657)
- Первый тройной смартфон Xiaomi готов к... (799)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...