- NASA и IBM создали самую полную ИИ-карту... (891)
- Дубайская фирма с инвесткомандой из четырёх... (891)
- Торговая марка рассекретила название сиквела... (842)
- Илон Маск помирился с Apple — но X Corp и... (830)
- Honor приоткрыла характеристики флагманов... (889)
- Microsoft поставила человека выше ИИ — она... (1608)
- Новый трейлер подтвердил дату выхода The... (765)
- Календарь релизов 14–20 сентября: Marvel’s... (822)
- Microsoft намерена получить 38 ГВт мощностей... (1256)
- SpaceX/xAI заполучила загадочного заказчика,... (938)
- T2 убрал границы: абоненты из разных... (878)
- А смысл? «Яндекс Книги» подключили ИИ для... (957)
- Энтузиаст разработал первый в мире... (940)
- На Wildberries теперь можно торговаться: на... (980)
- 1400 км на одной зарядке: Volkswagen... (960)
- Ракеты SpaceX Falcon совершили 700-й полёт... (930)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...