- Китайские производители чипов могут... (1324)
- Huawei выпустила телевизоры Smart Screen S7... (1557)
- Глава Silicon Motion предрёк сохранение... (1131)
- Физики 10 лет измеряли гравитационную... (2810)
- Джазовый ретрошутер Mouse: P.I. For Hire... (1210)
- ChatGPT, Gemini и Claude по-разному оценили,... (1483)
- Сотрудники OpenAI массово стали миллионерами... (1175)
- Космический грузовик «Тяньчжоу-10» успешно... (1162)
- Новый большой патч принёс в Crimson Desert... (10596)
- Nintendo уронила акции повышением цен на... (1605)
- Пираты «угнали» Forza Horizon 6 за 9 дней до... (1335)
- Tesla издевается над фанатами, внезапно... (1209)
- Учёные предложили разгадку 14 загадочных... (1461)
- ByteDance резко увеличит расходы на ИИ — и... (1206)
- ByteDance увеличит капитальные затраты на... (1841)
- Apple сохранит высокую зависимость от TSMC,... (1222)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...