- Конкурент iOS и Android: HarmonyOS 7 выйдет... (194)
- Huawei выпустит новое поколение смартфона... (255)
- Представлено новое поколение... (321)
- Samsung Galaxy Z Fold8 Wide показался на... (179)
- Китай может занять до 42 % рынка массовых... (323)
- Втрое дешевле: представлена SuperGrok Lite —... (211)
- В России начались продажи Samsung Galaxy A57... (225)
- Отсюда будут отправляться корабли на Марс:... (242)
- Закрытие OpenAI ИИ-генератора видео Sora... (262)
- Tesla меняет правила игры: новые складные... (306)
- На OnePlus 15 уже можно опробовать Android... (245)
- Разработчики Lords of the Fallen 2 показали,... (237)
- Из пушки по планшету: планшет Honor Pad X8b... (245)
- Самая сильная магнитная буря за 2 месяца... (258)
- Появились изображения Samsung Galaxy Z Fold... (222)
- Аккумулятор 8000 мАч, быстрая зарядка, экран... (544)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...