- Moonshot AI выпустила Kimi K3.1 Pro, которая... (4526)
- «Цунами уязвимостей» надвигается: эксперты... (4769)
- OpenAI возобновила обучение ИИ-моделей, но... (4426)
- OpenAI возобновила обучение ИИ-моделей, но... (4258)
- Мировые затраты на строительство ЦОД уже в... (4969)
- Основатель Nvidia Дженсен Хуанг впервые... (4108)
- DeepSeek и MiniMax получили право... (4831)
- Xbox лишилась первого операционного... (4071)
- Первый в истории Xbox операционный директор... (4363)
- Как во времена первых «Айфонов»: старт... (6022)
- Google разрешила себе использовать личную... (5543)
- Новая статья: Forever Ago — вместо письма.... (5053)
- Девять видеокарт и до 2 Тбайт ОЗУ с обдувом:... (5047)
- В ожидании третьего сезона «Фоллаут»: новый... (4629)
- В MIT создали крошечного робота с плавниками... (4361)
- Галактическая холодная война, наследие... (4928)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...