- Выяснилось, что Microsoft может отслеживать... (3494)
- Инсайдер раскрыл, чего ждать от ремейка... (3754)
- Xbox рассчитывала к 2026 году достичь 77... (4565)
- Apple и Epic Games убедили суд приостановить... (3740)
- Китайские компании готовы отказаться от... (3444)
- Китайские компании готовы тратить до... (3849)
- Несмотря на запрет Пентагона, власти США... (4351)
- Власти США используют Anthropic Mythos для... (5016)
- Siri научилась говорить быстрее, медленнее и... (3297)
- Новая бета-версия iOS 27 добавила... (4045)
- Google изменила правила резервного... (4682)
- Все данные резервного копирования на Android... (5019)
- 19-кратный рост операционной прибыли Samsung... (3778)
- Новая статья: Обзор и тест системы... (5220)
- Новая статья: ИИтоги июня 2026 г.: петля... (5942)
- Colorful представила настольную плату ECO... (4188)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...